一种超厚人工石墨膜的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111548161A(43)申请公布日2020.08.18(21)申请号202010338287.4(22)申请日2020.04.26(71)申请人安徽恒炭新材料科技有限公司地址241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区南区杨河路42号(72)发明人朱先磊葛志远王星(51)Int.Cl.C04B35/524(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/64(2006.01)B29C43/28(2006.01)B29C43/24(2006.01)B29L7/00(2006.01)权利要求书1页说明书9页(54)发明名称一种超厚人工石墨膜的制造方法(57)摘要本发明公开了一种超厚人工石墨膜的制造方法，包括以下步骤：步骤一：PI膜卷材的制备；步骤二：装卷；步骤三：真空碳化；首先将舟皿送入碳化炉内抽真空；接着，分段升温；最后，自然冷却至室温；步骤四：高温石墨化；首先，将舟皿送入石墨炉的内部抽真空；接着，向石墨炉的内部填充惰性保护气体；接着，将石墨炉的内部由常温升至1800～2000℃并保温1～1.5h；接着，将石墨炉的内部由1800～2000℃升至2750～2850℃并保温30～50min；最后，自然冷却至室温；步骤五：压延。本发明针对现有人工石墨膜的单层厚度达不到要求，耐弯折和导热性能差，质量差等问题进行改进，本发明具有提高人工石墨膜单层厚度、耐弯折性能和导热性能，提升人工石墨膜的质量等优点。CN111548161ACN111548161A权利要求书1/1页1.一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：PI膜卷材的制备，通过复卷机将PI膜绕卷在石墨杆上，获得PI膜卷材；步骤二：装卷，将所述PI膜卷材放置于舟皿中；步骤三：真空碳化；首先，将所述舟皿送入碳化炉内并关闭炉门；然后，通过真空泵机组将所述碳化炉的内部抽至真空状态；接着，以5～7℃/min的速度将所述碳化炉的内部由常温升至520～550℃；接着，以1.5～2℃/min的速度将所述碳化炉的内部由520～550℃升至910～960℃；接着，以2.5～3.5℃/min的速度将所述碳化炉的内部由910～960℃升至1250～1350℃；最后，让所述碳化炉自然冷却至室温，得到碳化膜；步骤四：高温石墨化；首先，将所述舟皿从所述碳化炉内取出并送入石墨炉的内部，关闭所述石墨炉的炉门；然后，将所述石墨炉的内部抽至真空状态；接着，向所述石墨炉的内部填充惰性保护气体；接着，以10～12℃/min的速度将所述石墨炉的内部由常温升至1800～2000℃；接着，让所述石墨炉在1800～2000℃的温度下保温1～1.5h；接着，以5～6℃/min的速度将所述石墨炉的内部由1800～2000℃升至2750～2850℃；接着，让所述石墨炉在2750～2850℃的温度下保温30～50min；最后，让所述石墨炉自然冷却至室温，获得石墨化膜；步骤五：压延，将所述石墨化膜通过压延工艺压附在离型膜上，得到超厚人工石墨膜。2.如权利要求1所述的一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，步骤一中，所述PI膜卷材每层之间的间隙为160～180μm。3.如权利要求1所述的一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，步骤一中，所述PI膜的厚度为80～160μm。4.如权利要求1所述的一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，步骤二中，所述舟皿分为三层，每一层放置12卷PI膜卷材。5.如权利要求1所述的一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，步骤三中，通过真空泵机组将所述碳化炉的内部抽至真空状态，使所述碳化炉内的真空度控制在500pa以下，并保压30min以上。6.如权利要求1所述的一种超厚人工石墨膜的制造方法，其特征在于，步骤四中，所述惰性保护气体为氦气、氩气或者氙气。2CN111548161A说明书1/9页一种超厚人工石墨膜的制造方法技术领域[0001]本发明涉及人工石墨膜加工技术领域，尤其涉及一种超厚人工石墨膜的制造方法。背景技术[0002]人工石墨膜是一种很薄导热材料，又称为导热石墨膜，导热石墨片，石墨散热片等，为电子产品的薄型化发展提供了可能。人工石墨膜具有良好的再加工性，可根据用途与PET等其他薄膜类材料复合或涂胶，这种材料有弹性，可裁切冲压成任意形状，可多次弯折；适用于将点热源转换为面热源的快速热传导，具有很高的导热性能，是由一种高度定向的石墨聚合物薄膜制成。目前，人工石墨膜广泛的应用于PDP、LCDTV、NotebookPC、UMPC、FlatPanelDisplay、MPU、Projector、PowerSupply、LED，MID,移动电话；DVD；数码相机；电脑及周边设备；传感器；半