一种钛箔化学减薄方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111785643A(43)申请公布日2020.10.16(21)申请号202010534880.6(22)申请日2020.06.12(71)申请人江苏富乐德半导体科技有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人欧阳鹏贺贤汉王斌葛荘孙泉张恩荣(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人赵建敏(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)C23F1/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种钛箔化学减薄方法(57)摘要本发明涉及一种钛箔化学减薄方法，包括如下步骤：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min‑10min后烘干取出；2)氮化工艺：真空炉抽真空后通入氮气，氮化钛箔表面，氮化温度控制在500℃‑650℃，时间控制在90min‑150min，氮气分压控制在800Pa‑1200Pa，生成金黄色的氮化钛层；3)化学铣切：将经步骤2)处理后的钛箔浸没在化学铣切液中1min‑4min中进行铣切，将金黄色的氮化钛层铣除，该化学铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，余量为纯水；4)表面清洗：铣切后的钛箔依次在丙酮、纯水中浸洗共计5min‑15min。CN111785643ACN111785643A权利要求书1/1页1.一种钛箔化学减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min-10min后烘干取出；2)氮化工艺：真空炉抽真空后通入氮气，氮化钛箔表面，氮化温度控制在500℃-650℃，时间控制在90min-150min，氮气分压控制在800Pa-1200Pa，生成金黄色的氮化钛层；3)化学铣切：将经步骤2)处理后的钛箔浸没在化学铣切液中1min-4min中进行铣切，将金黄色的氮化钛层铣除，该化学铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，余量为纯水；4)表面清洗：铣切后的钛箔依次在丙酮、纯水中浸洗共计5min-15min。2.根据权利要求1所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤1)中，待处理钛箔在丙酮溶液中超声浸洗3min-5min；在无水乙醇中超声浸洗1min-3min；在纯水中超声浸洗1min-3min，烘干条件为放置于80℃-100℃的干燥箱中10min-15min。3.根据权利要求1所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤2)中，进行氮化工艺时，真空炉的真空度为0.1Pa-0.001Pa。4.根据权利要求1所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤2)中，氮化时，氮化温度控制在550-640℃，时间控制在100-140min，氮气分压控制在900-1100Pa。5.根据权利要求2所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤3)中，所述氢氟酸溶液的化学质量分数为3％；所述硝酸溶液的化学质量分数为63％；所述冰醋酸溶液的化学质量分数为99.5％。6.根据权利要求1所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤3)中，在进行化学铣切时进行轻微超声震动。7.根据权利要求1所述的钛箔化学减薄方法，其特征在于：其中，步骤4)中，钛箔在丙酮溶液中浸洗3min-5min，在纯水中浸洗3min-5min。2CN111785643A说明书1/4页一种钛箔化学减薄方法技术领域[0001]本发明属于半导体基板制备技术领域，涉及一种覆铜陶瓷基板钛箔焊片制备技术，具体而言涉及一种钛箔化学减薄方法。背景技术[0002]覆铜陶瓷基板是半导体领域高压大功率模块最为优良的封装材料，其具有高导热、优良的绝缘性能、优异的软钎焊性、载流能力大等特性。高温直接键合(DBC，又称DCB)技术、高温活性钎焊(AMB)技术、电镀(DPC)技术以及激光活化技术(LAM)是目前制作覆铜陶瓷基板的主要技术。其中，使用AMB技术制备的覆铜陶瓷基板具有抗冷热冲击性能优异、铜瓷剥离强度高、冷热循环可靠性高等优点，具有广阔的市场和应用前景。[0003]烧结是AMB技术最关键的部分，在保证质量的前提下，降低生产成本对工业化量产具有重要意义。焊片/焊料是AMB烧结技术的核心之一，同时，因AMB工艺需求和质量控制，需要使用超薄的钛箔作为焊片，而超薄钛箔多应用于航空航天及扬声器音膜等领域，这类相对较厚的钛箔(≥10um)需经过多次轧制，对设备和加工工艺的要求较为严苛，因此生产成本较高，随之而来的问题是AMB覆铜板生产成本的增加。故如何通过简单工艺将较厚的钛箔减薄使之可应用于