多层结构的复合柔性导电薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111863345A(43)申请公布日2020.10.30(21)申请号202010628461.9(22)申请日2020.07.02(71)申请人嘉兴市爵拓科技有限公司地址314300浙江省嘉兴市海盐县武原街道盐北路211号西区2幢102室-9(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京国翰知识产权代理事务所(普通合伙)11696代理人叶帅东(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B1/16(2006.01)H01B5/14(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称多层结构的复合柔性导电薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种多层结构的复合柔性导电薄膜，其组成为氧化铈与氮化钛作为上下两层，陶瓷增强金属基复合导电材料作为中间夹层以及透明有机柔性衬底，采用磁控溅射工艺，依次溅射各薄膜层，制备得到多层结构的复合柔性导电薄膜。其中陶瓷增强金属基复合导电材料的制备为：将分散剂、粘结剂与碲化镉粉体、羟基磷灰石晶须混合均匀，球磨，制得陶瓷浆料；将陶瓷浆料置于模具中，在低温浴中进行定向凝固，得到冷冻陶瓷坯体，脱模，放入冷冻干燥仪中干燥，进行烧结，得到陶瓷材料；将锂镁合金块置于陶瓷材料上，一起放入高温炉中，高温烧结，冷却至室温，制备得到陶瓷增强金属基复合导电材料。CN111863345ACN111863345A权利要求书1/1页1.一种陶瓷增强金属基复合导电材料的制备方法，包括：S1：将分散剂和粘结剂分别溶于50～55℃的去离子水中，与碲化镉粉体，羟基磷灰石晶须混合均匀，球磨，制得陶瓷浆料；将陶瓷浆料置于模具中，在低温浴中进行定向凝固，得到冷冻陶瓷坯体，脱模，放入冷冻干燥仪中干燥，进行烧结，得到陶瓷材料；S2：将锂镁合金块置于陶瓷材料上，一起放入高温炉中，高温烧结，冷却至室温，制备得到陶瓷增强金属基复合导电材料。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷增强金属基复合导电材料的制备方法，其特征是：所述分散剂为羟乙基纤维素和乳酸钠，粘结剂为脲醛树脂，按重量份计，羟乙基纤维素为1～3份，乳酸钠为0.5～3份，脲醛树脂为0.3～1.5份。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷增强金属基复合导电材料的制备方法，其特征是：按重量份计，所述碲化镉粉体为10～15份，羟基磷灰石晶须为5～10份，锂镁合金为87～93份。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷增强金属基复合导电材料的制备方法，其特征是：所述锂镁合金与陶瓷材料的高温烧结的温度曲线为：在氮气气氛下，以3～4℃/min的升温速率从室温升至850～900℃，保温1.5～3.5h，冷却至室温，得到陶瓷增强金属基复合导电材料。5.权利要求1-4任一项所述的制备方法制得的陶瓷增强金属基复合导电材料。6.一种多层结构的复合柔性导电薄膜，由上层(1)、中间夹层(2)、下层(3)与衬底(4)组成；其中，所述上层(1)为氧化铈薄膜层；所述中间夹层(2)为权利要求5所述的陶瓷增强金属基复合导电材料薄膜层；所述下层(3)为氮化钛薄膜层；所述衬底(4)为透明有机柔性衬底。7.权利要求6所述的导电薄膜的制备方法，包括，将权利要求5所述的陶瓷增强金属基复合导电材料靶材、氧化铈靶材与氮化钛靶材装入磁控溅射腔体内，清理透明有机柔性衬底，并放入磁控溅射阳台上，根据溅射工艺参数，溅射的顺序依次为氮化钛薄膜层、陶瓷增强金属基复合导电薄膜层、氧化铈薄膜层，溅射完成后，原位退火，得到CeO2/CdTe-Li-Mg/TiN多层结构的复合柔性导电薄膜。8.根据权利要求7所述的一种多层结构的复合柔性导电薄膜的制备方法，其特征是：所述透明有机柔性衬底为聚丙烯二酯、聚四氟乙烯或聚乙烯对苯二甲酯。9.根据权利要求7所述的一种多层结构的复合柔性导电薄膜的制备方法，其特征是：所述靶材与衬底的距离为55～85mm，溅射氮化钛薄膜层的工艺参数为：将磁控溅射系统的本地真空度抽至2.0×10-3～2.5×10-3，以氩气作为溅射气体，溅射功率为50～150W，溅射总气压为0.7～10Pa，氮化钛薄膜层的厚度为30～170nm；溅射陶瓷增强金属基复合导电薄膜层的工艺参数：溅射功率为70～180W，溅射总气压为1～9Pa，陶瓷增强金属基复合导电薄膜层的厚度为5～17nm；溅射氧化铈薄膜层的工艺参数：将磁控溅射系统的本地真空度抽至1.5×10-3～2.5×10-3，以氩气作为溅射气体，溅射功率为70～100W，溅射总气压为0.5～10Pa，氧化铈膜层的厚度为30～170nm。10.根据权利要求7所述的一种多层结构的复合柔性导电薄膜的制备方法，其特征是：所述原位退火温度为75～85℃，退火时间5～25min。2CN111863345A说明书1/8页多层结构的