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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112059352A(43)申请公布日2020.12.11(21)申请号202011213036.X(22)申请日2020.11.04(71)申请人北京仝志伟业科技有限公司地址100015北京市朝阳区将台路5号院5号楼二层2046室(72)发明人赵永先邓燕张延忠(74)专利代理机构北京佐行专利代理事务所(特殊普通合伙)11683代理人刘鹏王占愈(51)Int.Cl.B23K3/04(2006.01)B23K3/08(2006.01)B23K1/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称一种用于焊接元件的多模块封装真空炉及其使用方法(57)摘要本申请提供一种用于焊接元件的多模块封装真空炉,包括真空腔、治具、升降装置、移动挡板机构、加热机构、水冷机构、阀泵机构以及控制装置;所述升降装置、移动挡板机构、加热机构、水冷机构和阀泵机构与控制装置通讯连接。本申请还提供了一种上述真空炉的使用方法,步骤为,按照从下往上的顺序将多层治具放入腔体;对腔体内部抽真空,挡板伸出形成遮挡状态;当腔体内的真空度达到激活真空度时,下加热载台升温到激活温度保持第一时间段,腔体降到安全温度后,挡板复位,回到归位状态;所述升降装置下降到最低点,管壳治具层和锗窗治具层紧贴,加热至焊接温度;焊接完成后,从管壳治具层上取下焊接好的元件。本申请实现了多模块的高效功能。CN112059352ACN112059352A权利要求书1/2页1.一种用于焊接元件的多模块封装真空炉,包括真空腔、治具、升降装置、移动挡板机构、加热机构、水冷机构、阀泵机构以及控制装置;其中,所述升降装置、移动挡板机构、加热机构、水冷机构和阀泵机构与控制装置通讯连接;所述真空腔包括盖体和腔体;所述加热机构包括设置在盖体上的上加热部件以及设置在腔体内部的下加热载台;所述治具设置在下加热载台上方;所述治具包括三层结构,从下向上依次为用于放置焊接元件锗窗部的锗窗治具层、用于放置焊接元件管壳部的管壳治具层以及用于放置重力块的重力块治具层,设置治具的三层结构在水平方向上并排紧靠;所述管壳治具层与升降装置固定连接,管壳治具层在升降装置的带动下能够在垂直方向上进行远离和贴靠锗窗治具层的运动;所述移动挡板机构包括挡板驱动装置和挡板,所述挡板驱动装置能够带动挡板在水平方向上运动;其中,所述挡板在垂直方向的位置高于锗窗治具层,低于升降装置升到最高点时的管壳治具层;当挡板驱动装置带动所述挡板在水平方向上达到最大行程时,挡板为遮挡状态,此时所述挡板与治具在垂直方向上的投影重叠;此时挡板能够阻挡所述下加热载台对管壳治具层的热传导;当挡板驱动装置带动挡板复位时,挡板为归位状态,此时所述挡板与治具在垂直方向上的投影没有重叠部分。2.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述治具设置为多组。3.如权利要求2所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述治具设置为并列对称的四组,每组治具大小相同。4.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述阀泵机构包括高真空插板阀、分子泵、主抽阀、充/放气阀以及真空接口,其中,所述主抽阀设置在腔体底部中心处,所述主抽阀与分子泵连接。5.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述水冷机构包括盖体外壳水冷、腔体外壳水冷、腔体内部水冷、动密封水冷以及泵水冷。6.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述锗窗治具层的顶部设置有用于放置元件的锗窗部的锗窗焊接限位槽,焊接时,元件的锗窗部平放在锗窗焊接限位槽内;所述管壳治具层与锗窗焊接限位槽对应的位置设置有用于放置元件的管壳部的管壳焊接限位槽孔,所述管壳焊接限位槽孔用于放置元件的管壳部,其中,所述管壳焊接限位槽孔的孔洞面积略大于管壳部的面积;所述管壳焊接限位槽孔的孔洞底部内缩,使孔洞底部的面积略大于元件锗窗部的面积,同时略小于管壳部的面积。7.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述升降装置还包括支撑板,所述治具设置在支撑板上方,所述锗窗治具层的四周设置有通孔,所述管壳治具层的底部设置有支柱,所述支柱穿过锗窗治具层的通孔与支撑板固定连接。8.如权利要求1所述的用于焊接元件的多模块封装真空炉,其中,所述移动挡板机构设置在治具两侧,两侧的挡板处于同一水平面,当挡板驱动装置的行程达到最大时,两侧挡板能够拼合在一起,形成对管壳治具层的隔热。9.一种使用如权利要求1-7任一项所述的多模块封装真空炉的方法,所述方法的步骤2CN112059352A权利要求书2/2页为:S10,将焊接元件的锗窗部放置在锗窗治具层,焊接元件的管壳部放置在管壳治具层,将重力块放置在重力块治具层,按照从下