一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112176192A(43)申请公布日2021.01.05(21)申请号202011018868.6(22)申请日2020.09.24(71)申请人衢州华友钴新材料有限公司地址324012浙江省衢州市高新技术产业园区(二期)廿新路18号申请人浙江华友钴业股份有限公司衢州华友资源再生科技有限公司(72)发明人刘永东沈建中李德臣孙灿宁胡斌吴洁张占彦黄正奇(74)专利代理机构浙江翔隆专利事务所(普通合伙)33206代理人张建青(51)Int.Cl.C22B7/00(2006.01)C22B9/10(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法(57)摘要本发明公开了一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法。本发明采用的方法为：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹炼，并加入硅石造渣，空3气流量4~6m/h；3）升温加热：吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品中硅、镁含量控制在0.05%以下。本发明主要是将含硅镁杂质的合金进行精炼，使得硅、镁含量均低于0.05%，且钴镍的回收率大于96%。CN112176192ACN112176192A权利要求书1/1页1.一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，所述低硅、低镁杂质合金成分含有：Co、Ni、Mn、Fe、S、Cu、Mg、Si，其中Mg0.1-1%、Si0.1-2%，其特征在于，包括以下步骤：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化，温度1300~1500℃；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹3炼，并加入硅石造渣，空气流量4~6m/h；3）升温加热：由于中频炉散热快，吹炼一段时间后，吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品中硅、镁含量控制在0.05%以下。2.根据权利要求1所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，鼓气吹炼利用空气中的氧气，将硅和镁分别氧化成二氧化硅和氧化镁，进入渣里。3.根据权利要求1所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，硅石在步骤2）中分批加入。4.根据权利要求1所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，空气在步骤2）、步骤3）中分批加入。5.根据权利要求1所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，吹炼温度1350~1450℃，吹炼过程需对中频炉进行加热升温。6.根据权利要求1所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，吹炼3时间在20~30min，总空气量在1.8~2.4m，硅石总量在0.35~0.4kg。7.根据权利要求1-6任一项所述一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其特征在于，如步骤5）得到的渣铁为不易分离的渣铁或硅和镁成分不符合要求的合金，还包括以下步骤：6）合金熔化：重新加入中频炉，升温熔化，温度1300~1500℃；7）出合金：熔炼一段时间后，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离。2CN112176192A说明书1/3页一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法技术领域[0001]本发明涉及合金精炼制备方法领域，特别是一种低硅、镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法。背景技术[0002]近几年新能源汽车的发展十分迅速，其新能源电池也开始出现批量废弃，将废旧电池回收循坏利用，减少资源浪费的同时，提高产业收益。目前，回收电池料主要方法是通过火法熔炼工艺将有价金属集中在合金内，再通过湿法进行有价金属的分离，制备一系列相关的有价金属产品。合金中硅、镁含量的高低对湿法浸出萃取工艺有着一定的影响，过高会导致萃取工艺繁琐，废水量大，萃取成本增加，因此，降低合金中的硅、镁含量成为一个技术热点。[0003]目前脱硅、脱镁都是采用酸浸浮选法进行，脱除后的硅、镁含量仍相对较高，有价金属也会有较大的损失，且存在着大量的废水。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种低硅、镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，其采用合金精炼的方法将合金中的硅、镁进行脱除，有针对性地对硅