一种单晶炉用的热场及其单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112226811A(43)申请公布日2021.01.15(21)申请号202011072361.9(22)申请日2020.10.09(71)申请人西安邦泰电子技术有限公司地址710000陕西省西安市碑林区东关南街古新巷2号1栋10602室(72)发明人李嘉亮(74)专利代理机构西安汇智创想知识产权代理有限公司61247代理人苏蓓(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种单晶炉用的热场及其单晶炉(57)摘要本发明公开了一种单晶炉用的热场及其单晶炉，包括下托盘、上盖盘、坩埚、加热器和导流筒，导流筒的出气端朝向坩埚；热场还包括保温筒，保温筒套设在加热器外，保温筒的下端固定在下托盘，上端固定在上盖盘；保温筒的筒壁内设有多个第一排气管，保温筒内壁开设有进气口，进气口与第一排气管的上端一一对应连通；所述下托盘下方设有支撑环，支撑环下方设有支撑板，支撑板上设有通孔，第一排气管的出气端依次通过通孔、第二排气管连接真空泵进气口；第二排气管上设有电磁阀，热场还包括控制单元，控制单元控制电磁阀打开或关闭，还控制电磁阀的开启大小。能够使热场气流运行顺畅无气旋滞留，消除了各种反应物在炉室内的沉积。CN112226811ACN112226811A权利要求书1/1页1.一种单晶炉用的热场，包括下托盘和上盖盘，下托盘和上盖盘之间设有坩埚和加热器，加热器套设在坩埚外，上盖盘上设有导流筒，导流筒包括出气端，出气端朝向坩埚；其特征在于：所述热场还包括保温筒，保温筒套设在加热器外，所述下托盘固定在保温筒下端，所述上盖盘固定在保温筒上端；所述加热器和坩埚的高度均低于保温筒的高度，沿保温筒高度方向在保温筒的筒壁内设有多个第一排气管，在加热器和坩埚上部的保温筒内壁开设有与第一排气管数量一致的进气口，进气口与所述第一排气管的上端一一对应连通；所述下托盘下方设有支撑环，支撑环下方设有支撑板，支撑板上设有通孔，所述第一排气管的出气端穿过下托盘，并通过所述通孔连接第二排气管的进气端，第二排气管的另一端连接真空泵进气口；第二排气管上设有电磁阀，所述热场还包括控制单元，所述控制单元控制电磁阀打开或关闭，还控制电磁阀的开启大小。2.根据权利要求1所述的热场，其特征在于：所述第一排气管均布。3.根据权利要求2所述的热场，其特征在于：所述通孔有两个，分别为第一通孔和第二通孔，从1开始将第一排气管按顺序编号；奇数编号的第一排气管的出气端通过第一通孔连接第二排气管的进气端，偶数编号的第一排气管的出气端通过第二通孔连接另一个第二排气管的进气端，两个第二排气管的出气端均通过第三排气管连接所述真空泵进气口，两个第二排气管上均设有所述电磁阀。4.根据权利要3所述的热场，其特征在于：所述第二排气管上还均设有过滤罐，所述电磁阀位于过滤罐和真空泵之间。5.根据权利要求4所述的热场，其特征在于：所述保温筒包括石墨层和保温毡层，石墨层套设在加热器外，保温毡层套设在石墨层外，所述第一排气管设置在保温毡层内。6.根据权利要求5所述的热场，其特征在于：所述第一排气管有2至8个。7.根据权利要求6所述的热场，其特征在于：所述第一排气管有4个。8.一种单晶炉，其特征在于，包括炉筒、炉底板和权利要求1至7任一项热场，所述支撑板设置在炉底板上方，炉筒套设在所述保温筒外，且支撑板位于炉筒内，炉底板上开设有穿孔，穿孔的数量与所述通孔的数量一致，穿孔位于通孔正下方；所述第一排气管的出气端依次通过通孔、和与通孔正对的穿孔连接第二排气管的进气端；所述单晶炉还包括气体流量压力检测单元和传输单元；气体流量压力检测单元，用于在拉晶时检测炉内压力信息；传输单元，用于将所述炉内气体流量压力信息传输至所述控制单元；控制单元，用于通过控制电磁阀打开或关闭、或通过控制电磁阀的开启大小，使得炉内压力信息稳定。2CN112226811A说明书1/4页一种单晶炉用的热场及其单晶炉技术领域[0001]本发明属于单晶生长设备技术领域，涉及一种单晶炉用的热场及其单晶炉。背景技术[0002]集成电路半导体及光伏发电都是国家政策鼓励发展的行业，集成电路半导体材料作为产业综合水平高低的最重要指标，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源，日益受到世界各国的重视并得到大力发展，单晶硅片作为集成电路及光伏发电的基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅棒拉制过程中，单晶炉的热场工艺设计方案对于晶体生长起到至关重要的作用，随着市场需求的增大和新技术的发展，热场的工艺水平提升将成为行业发展的技术保障。[0003]然而，目前热场的废气从炉内保温筒顶部排出至保温