一种用于半导体级SiC粉体合成的高纯石墨粉的制备工艺.pdf
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一种用于半导体级SiC粉体合成的高纯石墨粉的制备工艺.pdf
本发明涉及高纯石墨制备技术领域,具体为一种用于半导体级SiC粉体合成的高纯石墨粉的制备工艺,其包括以下步骤:装炉→加压干燥→抽真空→加热升温→旋转反应→气体循环→重复反应→冷却→废气排放→出料,通过旋转反应步骤与气体循环步骤,配合沙漏形设置的提纯罐,使得石墨粉在提纯罐内像沙子一样缓慢的落下与输入的纯化化学气体进行均匀反应,可以保证进入到提纯罐内的石墨粉能完全的和纯化化学气体进行混合反应,去除石墨粉内的金属杂质,实现石墨粉均匀连续的提纯加工,解决传统石墨粉提纯难、成本高的技术问题。
一种用于高纯SiC粉料制备的卧式滚动合成炉及制备工艺.pdf
本发明公开了一种用于高纯SiC粉料制备的卧式滚动合成炉及制备工艺,其中合成炉包括坩埚、保温层、感应加热系统、炉体、炉体气体控制系统、坩埚气体控制系统和旋转驱动系统。坩埚呈卧式设置,保温层设置于坩埚外侧,感应加热系统设置于保温层外侧,炉体设置于感应加热系统外侧。炉体气体控制系统用于将气体充入炉体,以及将气体抽出炉体。坩埚气体控制系统用于将气体充入坩埚,以及将气体抽出坩埚。旋转驱动系统用于驱动坩埚旋转。相比于现有技术,本发明能够在提高SiC粉料粒径分布均匀性的同时,提高SiC粉料合成量。
一种利用硅粉与高纯石墨粉合成β-SiC微粉生产工艺.pdf
本发明属于β‑SiC生产技术领域,特别是涉及一种利用硅粉与高纯石墨粉合成β‑SiC微粉生产工艺。包括以下步骤(1)以硅微粉为硅源,以石墨粉为碳源;(2)将硅源与碳源以1:1‑1.3的比例混合搅拌;(3)压力机压膜,使混合物体积为没有压前的0.6‑‑‑0.8倍;(4)放入定型的坩埚中,通入氮气将高温电阻炉腔中的空气置换出来;(5)加热到1450℃‑‑1500℃,持续进行氮气通入,保持高温5h‑8h;(6)分选得到成品β‑SiC。通过压膜法的使用,从而使粉体之间的间隙更小,有效排出了颗粒间的空气,增加了颗粒间
一种高纯石墨粉制备工艺.pdf
本发明涉及涉及高纯石墨制备技术领域,具体为一种高纯石墨粉制备工艺,包括以下步骤:装炉→加压干燥→抽真空→加热升温→扬尘→吸尘反应→废气排放→冷却→出炉,通过利用扬尘步骤对粉罐内的石墨粉进行翻炒处理,使石墨粉在吸尘反应步骤中进入流通四氟甲烷气体的文丘里管内,与四氟甲烷气体进行充分的混合后进行高温反应,利用四氟甲烷气体去除石墨粉内的金属杂质,使金属杂质形成金属氟化物气化排出,达到石墨提出的目的,解决现有石墨提纯难,成本高的技术问题。
一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法.pdf
本发明涉及一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法,它包括如下步骤:1)配料:以Ti粉、SiC粉和TiC粉为原料,Al粉为合成促进剂,按Ti∶SiC∶TiC∶Al=(4-4.1)∶(2-2.1)∶(1-1.1)∶(0.2-0.3)的摩尔比选取Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉;将Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉混合,得到混合料;2)将所述混合料进行湿磨、过筛、清洗后得到混合悬浊溶液;3)将所述混合悬浊溶液静置,倒去上层清液后真空干燥,得到预处理好的混合粉末;4)将所述预处理好的混合粉末置于真空炉中,以15-