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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112358185A(43)申请公布日2021.02.12(21)申请号202011379440.4(22)申请日2020.11.30(71)申请人湖南景翌湘台环保高新技术开发有限公司地址411100湖南省湘潭市九华示范区传奇路8号申请人深圳粤鹏环保技术股份有限公司(72)发明人粟鑫解付兵翟海军欧阳书径刘守龙刘宜德曹莹刘力玮陈人可(74)专利代理机构长沙德恒三权知识产权代理事务所(普通合伙)43229代理人葛艳(51)Int.Cl.C03C8/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种搪瓷底釉及制备方法(57)摘要一种搪瓷底釉,包括如下重量份的原料:废稀土抛光粉42~60份,氧化铝15~25份,氧化硼5~15份,氧化钾1~3份,氧化钠8~12份,氟化钙2~8份,氧化镍1~2份,氧化锰1~2份。该搪瓷底釉制备时包括如下步骤:1)将原料中20~40%的废稀土抛光粉和其它物料混合,搅拌5~10min得到第一混合料;2)将第一混合料与余下的废稀土抛光粉混合,搅拌10~20min得到第二混合料;3)将第二混合料放入熔炉中焙烧,焙烧温度为400~1300℃,焙烧时间为2~4h,焙烧完成得到熔融体;4)熔融体快速水淬处理后烘干得到成品。本发明所述的搪瓷底釉应用后与坯体的密着性好,产品的针孔产生率较少,且制备工序适合工业化生产,得到较佳产品的同时实现对废稀土抛光粉的高价值回收利用。CN112358185ACN112358185A权利要求书1/1页1.一种搪瓷底釉,其特征在于,包括如下重量份的原料:废稀土抛光粉42~60份,氧化铝15~25份,氧化硼5~15份,氧化钾1~3份,氧化钠8~12份,氟化钙2~8份,氧化镍1~2份,氧化锰1~2份。2.根据权利要求1所述的搪瓷底釉,其特征在于,包括如下重量份的原料:废稀土抛光粉60份,氧化铝18份,氧化硼5份,氧化钾1份,氧化钠12份,氟化钙2份,氧化镍1份,氧化锰1份。3.根据权利要求1所述的搪瓷底釉,其特征在于,包括如下重量份的原料:废稀土抛光粉55份,氧化铝15份,氧化硼7份,氧化钾1份,氧化钠12份,氟化钙7份,氧化镍2份,氧化锰1份。4.根据权利要求1所述的搪瓷底釉,其特征在于,所述废稀土抛光粉中氧化硅含量85~92%、氧化铝含量0.5~1%、二氧化铈和氟化镧合计占比为5~10%。5.根据权利要求4所述的搪瓷底釉,其特征在于,所述废稀土抛光粉的电导率小于200μS/cm。6.一种搪瓷底釉制备方法,其特征在于,采用权利要求1~5任一所述的搪瓷底釉原料,包括如下步骤:1)将原料中20~40%的废稀土抛光粉和其它物料混合,搅拌5~10min得到第一混合料;2)将第一混合料与余下的废稀土抛光粉混合,搅拌10~20min得到第二混合料;3)将第二混合料放入熔炉中焙烧,焙烧温度为400~1300℃,焙烧时间为2~4h,焙烧完成得到熔融体;4)熔融体快速水淬处理,然后烘干得到成品。7.根据权利要求6所述的搪瓷底釉制备方法,其特征在于,所述废稀土抛光粉经过研磨和筛选预处理,预处理后废稀土抛光粉底的粒径小于0.15mm。8.根据权利要求6所述的搪瓷底釉制备方法,其特征在于,步骤1)中,第一混合料的均匀度大于或等于97%,步骤2)中第二混合料的均匀度大于或等于95%。9.根据权利要求6所述的搪瓷底釉制备方法,其特征在于,步骤3)中,焙烧时,以8℃/min的速度进行升温,由常温升至400℃后保温焙烧1h;然后以5℃/min的速率升温至950℃后保温焙烧1h,进而以3℃/min的速率升温至1300℃后保温焙烧40min。10.根据权利要求6所述的搪瓷底釉制备方法,其特征在于,步骤4)中水淬处理的为检测合格的熔融体,熔融体采用拉丝法进行检测,检测方法为:用不锈钢钎挑料抽丝,抽丝后1米内结粒数量小于2个为合格。2CN112358185A说明书1/6页一种搪瓷底釉及制备方法技术领域[0001]本发明涉及搪瓷技术领域,具体涉及一种搪瓷底釉及制备方法。背景技术[0002]近年来,随着手机的快速普及、更新换代和平板显示屏以及汽车中控屏的广泛使用,每年产生的废稀土抛光粉固体废料超过10万吨,并逐年增多,其中对稀土含量高的废抛光粉,本公司已申请专利(申请号为201811404138.2,一种从废稀土抛光粉中提取铝、氧化硅和稀土的方法),该方法主要将高含量的废稀土抛光粉中的稀土充分回收从而产生价值。但在生产中,还存在大量地额低含量的废稀土抛光粉,这部分低含量废抛光粉对应的氧化硅含量50~70%,氧化铝含量15~20%,稀土氧化物5~15%,这类废稀土抛光粉若清洗干净后售卖每吨盈利在300~500元,价格低廉,处理成本高,然而这种粒度