一种高均匀性ITO靶材的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114890774A(43)申请公布日2022.08.12(21)申请号202210420586.1C04B35/626(2006.01)(22)申请日2022.04.20C23C14/08(2006.01)(71)申请人柳州华锡有色设计研究院有限责任公司地址545616广西壮族自治区柳州市柳东新区初阳路19号A区厂房3栋230号(72)发明人樊繁吴伯增魏宗武邓久帅王莉莉胡明振徐灿辉赵明勇(74)专利代理机构广西南宁公平知识产权代理有限公司45104专利代理师黄永校(51)Int.Cl.C04B35/01(2006.01)C04B35/453(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种高均匀性ITO靶材的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高均匀性ITO靶材的制备方法，包括如下步骤：以共沉淀反应制备出的ITO粉体为原料，将纯水、助烧剂、催化剂、分散剂按一定添加方法与原料进行球磨混合，达到一定粘度得到ITO浆料再加入一定量的粘结剂，充分搅拌进行冷冻干燥，采用二次成型方法，先预压，再冷等静压制成均匀的ITO生坯，将ITO生坯升温至300～700℃保温进行脱脂，然后升温至1500～1650℃保温，最后随炉冷却至室温,得到均匀的ITO靶材烧结体。CN114890774ACN114890774A权利要求书1/1页1.一种高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用共沉淀反应制备出的ITO粉体为原料；(2)将纯水、助烧剂、催化剂、分散剂按一定顺序与原料进行球磨混合，达到一定粘度后得到ITO浆料，继续搅拌；(3)ITO浆料中加入一定量的粘结剂，充分搅拌后进行冷冻干燥；(4)冷冻干燥后的ITO粉体采用二次成型方法，先在液压机中预压，再入冷等静压机冷压制成均匀的ITO生坯；(5)将ITO生坯升温至300～700℃保温1～7h进行脱脂，然后在体积浓度≥99.5％氧气氛下升温至1500～1650℃保温3～8h，随炉冷却至室温,得到均匀的ITO靶材烧结体。2.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述ITO粉体中氧化铟和氧化锡质量比为8.5～9.9：1，形貌近球形，比表面积6～30m2/g。3.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述纯水添加量按ITO浆料固含量70～90％进行配比；所述助烧剂为SiO2，添加量为ITO干粉原料重量的0.5～4.0‰；所述催化剂为磷酸一氢铵，添加量为ITO干粉原料重量0.2～4.0‰；所述分散剂为聚丙烯酸铵，添加量为ITO干粉原料重量1.0～2.0％，所述添加剂的添加顺序为纯水——助烧剂——催化剂——分散剂——ITO干粉，各种添加剂间隔加入时间为5～10min，所述ITO浆料粘度≥1000mPa.s时停止球磨。4.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述球磨采用循环式球磨机。5.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述粘结剂为丙烯酸乳液，添加量为ITO浆料重量的2～10‰。6.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述冷冻干燥是放入真空冷冻干燥机，真空度1～10Pa，温度‑10～‑60℃，冷冻1～3天，再放入低温烘箱，烘箱温度为50～80℃，烘干1～3天。7.根据权利要求1所述的高均匀性ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(5)所述ITO靶材烧结升温脱脂处理过程炉体在‑0.01～‑0.06MPa真空压力下进行，在氧气氛下升温至1500～1650℃，通氧时保持炉体内的氧气压力处于恒定压力状态，烧结结束前1～4小时停止通氧。2CN114890774A说明书1/4页一种高均匀性ITO靶材的制备方法技术领域[0001]本发明涉及ITO靶材的制备领域，具体是一种高均匀性ITO靶材的制备方法。背景技术[0002]自20世纪90年代以来，铟锡氧化物(IndiumTinOxides，ITO)靶材技术得到了快速的发展，在平面显示器产业半导体集成电路制造和信息存储产业等领域中都有广泛应用，ITO靶材技术在各种新型电子元器件领域发挥了极为重要的作用，电子信息制造业也列为国家重点发展领域。在新型显示产业链，未来将大力发展智能显示终端、液晶显示面板、背光板、模组以及显示屏、触摸屏、OLED显示器、LED显示器、4K超高清、触控投影及配套光机组件、VR/AR相关显示器件及产品，显示面板已成为一个能牵动上游装备制造和光电材料技术突破，并且引导下游电子信息产品发展的庞大行业。[0003]ITO靶材主要用于平板显示板镀膜，也应用于半导体及