一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112480447A(43)申请公布日2021.03.12(21)申请号202011355242.4C08K3/38(2006.01)(22)申请日2020.11.27C08K3/34(2006.01)B29D7/01(2006.01)(71)申请人桂林电器科学研究院有限公司地址541004广西壮族自治区桂林市七星区东城路8号(72)发明人蒋耿杰青双桂姬亚宁周福龙马纪翔潘钦鹏(74)专利代理机构桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107代理人唐智芳(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L79/08(2006.01)C08K9/06(2006.01)C08K3/28(2006.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述高面外导热系数聚酰亚胺薄膜的制备方法与现有技术不同之处为：在消泡聚酰胺酸树脂从薄膜流延挤出设备的模头的模唇挤出到下落至支撑体的过程中施加了电场的作用，所述电场的方向与消泡聚酰胺酸树脂的下落方向垂直；在经过流延炉时，在前辊和后辊之间施加朝向为向上且正对支撑体背面的热风，所述热风的温度为150～170℃。采用本发明所述方法制得的聚酰亚胺膜在具有高面外导热性和面内导热性的同时还具有良好的电气性能和力学性能，同时制备自支撑膜在不添加脱模剂的前提下能够轻易且完全地从支撑体上剥离。CN112480447ACN112480447A权利要求书1/1页1.一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)获得掺杂有经含氨基官能团硅烷偶联剂改性的导热填料的聚酰胺酸树脂，进行消泡，得到消泡聚酰胺酸树脂；2)所得消泡聚酰胺酸树脂经薄膜流延挤出设备流延至支撑体上经流延炉脱除部分溶剂，得到自支撑膜；其中，支撑体由前辊和后辊支撑并传动通过流延炉；3)所得自支撑膜经亚胺化处理，即得到所述的高面外导热系数聚酰亚胺薄膜；其特征是，步骤2)中，所述消泡聚酰胺酸树脂在从薄膜流延挤出设备的模头的模唇挤出到下落至支撑体的过程中受到电场的作用，所述电场的方向与消泡聚酰胺酸树脂的下落方向垂直；在前辊和后辊之间施加朝向为向上且正对支撑体背面的热风，所述热风的温度为150～170℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述电场的强度为1～10kV/mm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述模唇的唇口与支撑体的距离≥5cm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述模唇的唇口与支撑体的距离为5～15cm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，所述支撑体的运行速度4～10m/min。6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述的含氨基官能团硅烷偶联剂为选自KH‑550、KH‑540、KH‑792、KH‑602、HD‑M8372、HD‑E8133、HD‑M8253、HD‑M8252和HD‑M8132中的一种或两种以上的组合。7.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述的导热填料为选自氮化硼、氮化铝和碳化硅中的一种或两种以上的组合。8.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述导热填料的掺杂量为导热填料、形成聚酰胺酸树脂的二胺和二酐的总重量的25～40％。9.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征是，步骤1)中，所述聚酰胺酸树脂的粘度为20000～50000cp。10.权利要求1～9中任一项所述方法制备得到的高面外导热系数聚酰亚胺薄膜。2CN112480447A说明书1/7页一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及聚酰亚胺材料，具体涉及一种高面外导热系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。背景技术[0002]聚酰亚胺(PI)薄膜是综合性能最好的薄膜类绝缘材料，被广泛应用于微电子及电子封装等领域。近年来，电子元器件朝着高密度化、高功率化、高集成化和轻量化方向发展，其在运行、工作过程中不可避免地会产生大量热量，如果不能及时、有效地解决散热问题，将直接影响电子元器件的工作效率、可靠性和使用寿命。为保证电子元器件长时间、高可靠性地正常工作，必须在保证绝缘的基础上提高聚酰亚胺薄膜的导热性。[0003]通过在聚酰胺酸树脂中均匀掺杂包括氧化铝、氧化硅、氮化硅和氮化硼等在内的导热填料是目前提高聚酰亚胺薄膜导热性的常用方法。理论上大量导热填料的掺杂虽然可以赋予薄膜较高的导热系数，但是由于薄膜中填料容易发生团聚造成其力学性能和绝缘性能的大幅降低。