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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112626612A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011494554.3(22)申请日2020.12.17(71)申请人晶澳太阳能有限公司地址055550河北省邢台市宁晋县晶龙大街(72)发明人刘彬国黄旭光王玉龙(74)专利代理机构北京市万慧达律师事务所11111代理人张一帆(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称直拉单晶炉加热器(57)摘要本发明涉及直拉单晶硅领域,提供了一种直拉单晶炉加热器,包括加热器主体、以及开设在加热器主体侧壁上的斜开槽,其中加热器主体呈筒状,斜开槽沿加热器主体的轴向开设,斜开槽的侧壁与加热器主体的圆弧法线呈夹角设置,该加热器结构简单,并可以有效解决发热不均的问题。CN112626612ACN112626612A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶炉加热器,其特征在于,包括加热器主体,所述加热器主体的侧壁上开设有斜开槽;所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线呈夹角设置。2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,所述斜开槽的长度方向沿所述加热器主体的轴向延伸。3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线之间的夹角为10~80°。4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,所述斜开槽的槽宽不小于5mm。5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,所述斜开槽设置有多个。6.根据权利要求5所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,各个所述斜开槽等间距地分布在所述加热器主体的侧壁上。7.根据权利要求5所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,相邻的所述斜开槽分别与所述加热器主体上不同的端部连通。8.根据权利要求5所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,多个所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线之间的夹角相同。9.根据权利要求5所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,相邻的所述斜开槽的侧壁之间相互平行。10.根据权利要求1所述的直拉单晶炉加热器,其特征在于,还包括与所述加热器主体连接的支撑架,所述支撑架对称地设置在所述加热器主体的周侧。2CN112626612A说明书1/4页直拉单晶炉加热器技术领域[0001]本发明涉及直拉单晶硅领域,尤其涉及一种直拉单晶炉加热器。背景技术[0002]硅晶体生长主要采用切克劳斯基(Czochralski)法制造,俗称直拉单晶法。直拉单晶法是把原料硅块放入坩埚中,在真空条件及惰性气体的保护下,加热器发热使硅块在单晶炉内受热熔化,再将晶种浸入溶液中,在合适的温度下,溶液中的硅原子会按照晶种的硅原子排列结构在固液界面形成结晶,成为单晶体,将晶种旋转提升,硅溶液周而复始形成结晶成为单晶硅棒。其中,加热器位于石英坩埚的外侧且呈环状设计,并通过对加热器主体周侧均布开槽的方式调节电阻率,但开槽会使加热器主体的周侧均布缝隙,从而导致发热时加热器圆周方向上的温度呈现高低波动,并对石英坩埚受热造成波动,且逐渐缩短加热器的高度是当下该技术的发展趋势,而高度的缩短,意味着开槽宽度的增大,导致这种波动进一步扩大,使石英坩埚受热不均匀更明显,从而影响晶体成晶率。因此市面上急需一种新型加热器来解决上述问题。发明内容[0003]为克服相关技术中存在的问题,本申请提供了一种直拉单晶炉加热器,该加热器结构简单,并可以有效解决发热不均的问题。[0004]为了实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:[0005]本发明提供了一种直拉单晶炉加热器,包括加热器主体,所述加热器主体的侧壁上开设有斜开槽;[0006]所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线呈夹角设置。[0007]进一步地,所述斜开槽的长度方向沿所述加热器主体的轴向延伸。[0008]进一步地,各个所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线之间的夹角为10~80°。[0009]进一步地,各个所述斜开槽的槽宽不小于5mm。[0010]进一步地,所述斜开槽设置有多个。[0011]进一步地,所述加热器主体的侧壁上的开槽均为所述斜开槽。[0012]进一步地,各个所述斜开槽等间距地分布在所述加热器主体的侧壁上。[0013]进一步地,相邻的所述斜开槽分别与所述加热器主体上不同的端部连通。[0014]进一步地,多个所述斜开槽的侧壁与所述加热器主体的圆弧法线之间的夹角相同。[0015]进一步地,相邻的所述斜开槽的侧壁之间相互平行。[0016]进一步地,还包括与所述加热器主体连接的支撑架,所述支撑架对称地设置在所述加热器主体的周侧。[0017]进一步地,所述支撑架呈L型。3CN112626612A说明书2/4页