一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112813492A(43)申请公布日2021.05.18(21)申请号202011538348.8(22)申请日2020.12.23(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区临港新城云水路1000号(72)发明人赵旭良(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人吴洋(51)Int.Cl.C30B15/26(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置(57)摘要本发明公开了一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置，所述液面检测装置包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；导流筒，所述导流筒位于所述熔体的上方，所述导流筒的底部设置有定位销，所述定位销的至少一部分由不透明材料填充；相机，用于获取所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像；图像处理器，基于所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像计算所述定位销与所述熔体液面之间的距离。根据本发明提供的用于晶体生长的液面检测装置，定位销的至少一部分由不透明材料填充，以利用相机获取设置在导流筒底部的定位销与所述定位销在熔体液面上的倒影的清晰图像，以准确计算所述定位销与所述熔体液面之间的距离，操作简便、成本低。CN112813492ACN112813492A权利要求书1/1页1.一种用于晶体生长的液面检测装置，其特征在于，包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；导流筒，所述导流筒位于所述熔体的上方，所述导流筒的底部设置有定位销，所述定位销的至少一部分由不透明材料填充；相机，用于获取所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像；图像处理器，基于所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像计算所述定位销与所述熔体液面之间的距离。2.如权利要求1所述的液面检测装置，其特征在于，所述定位销包括壳体部分和填充部分。3.如权利要求2所述的液面检测装置，其特征在于，所述壳体部分包括耐高温材料。4.如权利要求3所述的液面检测装置，其特征在于，所述壳体部分包括石英。5.如权利要求4所述的液面检测装置，其特征在于，所述壳体部分包括杂质含量低的高透明度石英。6.如权利要求2所述的液面检测装置，其特征在于，所述填充部分包括不透明材料。7.如权利要求6所述的液面检测装置，其特征在于，所述填充部分包括石墨或硅。8.如权利要求1所述的液面检测装置，其特征在于，所述炉体上设置有观察窗口，所述相机设置在所述炉体外，通过所述观察窗口进行液面检测。9.一种晶体生长装置，其特征在于，包括权利要求1‑8之一所述的液面检测装置。2CN112813492A说明书1/5页一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置技术领域[0001]本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言涉及一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置。背景技术[0002]随着集成电路(IntegratedCircuit，IC)产业的迅猛发展，器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求，而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料。提拉法(Czochralski，CZ法)是现有技术中由熔体生长单晶的一项最主要的方法，其具体做法是将构成晶体的原料放在石英坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出晶体。[0003]在晶体生长过程中，需测量熔体液面与导流筒之间的间距，而通过现有的技术手段难以实现对该间距的准确测量。[0004]因此，有必要提出一种新的晶体生长装置，以解决上述问题。发明内容[0005]在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。[0006]本发明提供了一种用于晶体生长的液面检测装置，包括：[0007]炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；[0008]导流筒，所述导流筒位于所述熔体的上方，所述导流筒的底部设置有定位销，所述定位销的至少一部分由不透明材料填充；[0009]相机，用于获取所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像；[0010]图像处理器，基于所述定位销与所述定位销在所述熔体液面上的倒影的图像计算所述定位销与所述熔体液面之间的距离。[0011]进一步，所述定位销采用不透明材料制成。[0012]进一步，所述定位销包括壳体部分和填充部分。[0013]进一步，所述壳体部分包括耐高温材料。[0014]进一步，