一种晶体生长装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111005062A(43)申请公布日2020.04.14(21)申请号201911419624.6(22)申请日2019.12.31(71)申请人惠磊光电科技(上海)有限公司地址201801上海市嘉定区丰年路88弄8号20幢(72)发明人廖永建张福亮周里华(74)专利代理机构上海精晟知识产权代理有限公司31253代理人安曼(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图8页(54)发明名称一种晶体生长装置(57)摘要本发明提出了一种晶体生长装置，包括支架结构，支架结构上可上下移动的设有生长炉，生长炉中设有保温结构，保温结构的内壁上设有一圈上加热区域和一圈下加热区域，生长炉的下方可移动的设有支撑结构，外部套设支撑套的坩埚可拆卸的固定在支撑结构上，坩埚通过支撑结构在生长炉中进行上下移；本发明稳定性好，操作方便，充分利用余热、节约了能源。CN111005062ACN111005062A权利要求书1/2页1.一种晶体生长装置，其特征为，包括支架结构，支架结构上可上下移动的设有生长炉，生长炉中设有保温结构，保温结构的内壁上设有一圈上加热区域和一圈下加热区域，生长炉的下方可移动的设有支撑结构，外部套设支撑套的坩埚可拆卸的固定在支撑结构上，坩埚通过支撑结构在生长炉中进行上下移动。2.如权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征为，生长炉包括底部开口的上炉体和顶部开口的下炉体，上炉体的底部向外翻折的形成上平台，下炉体的顶部向外翻折的形成下平台，上平台和下平台相互压合并通过紧固件加以锁紧固定；保温结构包括水平设置的固定板，固定板的上方设有上保温层，固定板的下方设有下保温套，固定板插设在上平台和下平台之间、使上保温层插入上炉体中、下保温层插入下炉体中；上加热区域和下加热区域均设置在上保温层中，上加热区域和下加热区域分别由多个发热体固定在上保温层的内壁上形成。3.如权利要求2所述的一种晶体生长装置，其特征为，发热体为硅碳棒或硅钼棒。4.如权利要求2或3所述的一种晶体生长装置，其特征为，固定板上设有至少一个进气通道和一个出气通道，上平台上设有分别与进气通道和出气通道相连通的通气嘴。5.如权利要求4所述的一种晶体生长装置，其特征为，支撑结构包括竖直且同轴设置的外支撑管和内支撑杆，内支撑杆的底部设有第一限位板，内支撑杆过渡配合的贯穿外支撑管、使第一限位板贴合外支撑管设置；支撑结构自下而上的穿过下炉体和保温结构的固定板插入上炉体上，外支撑管的顶部向外翻折的形成第三平台，第三平台可压设在固定板上起限位作用；内支撑杆的顶部同轴的设有顶杆，顶杆的外壁上可转动的设有转套，转套上设有锁紧结构；坩埚放置于顶杆上，端面为正方形结构的支撑套套设在坩埚的外部，锁紧结构可与支撑套的底部加以锁紧固定。6.如权利要求5所述的一种晶体生长装置，其特征为，支撑套包括用于压设在坩埚顶部的支撑顶板，固定在支撑顶板下方、且套设在坩埚外部的支撑侧壁和固定在支撑侧壁底部的卡接结构，卡接结构用于与锁紧结构加以固定；支撑侧壁的高度大于坩埚的高度；支撑侧壁包括多个竖直支撑板，相邻的两个竖直支撑板之间设有向内凹陷的压合板，压合板的截面为外大内小的等腰梯形结构，压合板压设在坩埚上、竖直支撑板远离坩埚设置，每个竖直支撑板上均设有多个通孔；卡接结构包括多个卡接板，卡接板垂直的固定在支撑侧壁位于最下方的竖直支撑板的内壁上，相邻的两个卡接板之间设有插槽。7.如权利要求6所述的一种晶体生长装置，其特征为，锁紧结构包括包覆固定在转套外壁上的支柱，支柱的底部设置挡板，支柱的顶部设有插板，挡板和插板通过紧固件锁紧固定在支柱上；插板的数量和形状与卡接结构的插槽对应设置；当支撑套自上而下的套设在坩埚外部时，插板与插槽对应的穿过卡接板，旋转转套带动锁紧结构一同旋转，从而使卡接板过渡配合的固定在插板和挡板之间，且此时，支撑顶板2CN111005062A权利要求书2/2页和顶杆分别压设在坩埚的上下两端。8.如权利要求7所述的一种晶体生长装置，其特征为，生长炉的外壁上设有至少两圈定位板，定位板用于与支架结构相连接。9.如权利要求8所述的一种晶体生长装置，其特征为，支架结构包括底部支架和固定在底部支架上方的顶部支架，底部支架和顶部支架之间可转动的设有多个丝杠，相邻的两个丝杠之间设有一个导向杆，丝杠螺纹配合的穿过定位板，导向杆间隙配合的穿过定位板，丝杠的顶部穿过顶部之间与伺服电机的输出轴相连接，伺服电机转动可控制生长炉进行上下移动；支撑结构的第一限位板与限位柱固定连接，限位柱穿过底部支架与位于底部支架下方的第二限位板相连接，第二限位板可通过插销固定在底部支架上；第二限位板上垂直的设有多个定位杆，定位板穿过底部支架与第三限