一种炉管清洁方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113025994A(43)申请公布日2021.06.25(21)申请号202110240477.7(22)申请日2021.03.04(71)申请人横店集团东磁股份有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店镇工业区(72)发明人雷丽茶赵颖任勇何悦(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)C23C16/50(2006.01)B08B9/032(2006.01)B08B9/035(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称一种炉管清洁方法(57)摘要本发明提供了一种炉管清洁方法，所述的炉管清洁方法包括：(Ⅰ)对炉管依次进行吹扫和抽空，完成一次吹扫抽空操作，重复吹扫抽空操作至少两次；(Ⅱ)待炉管内稳压后维持一段时间，随后将炉管内抽空，完成一次稳压抽空操作，重复稳压抽空操作至少两次；(Ⅲ)对炉管内依次进行清洗、抽空和充气，完成炉管的清洁工作。采用本发明提供的炉管清洁方法对多次使用后的炉管进行清洁，可以获得良好的降粉尘效果，在炉管工作过程中，能有效防止炉内粉尘粘附在材料表面，降低了材料表面出现黑点和麻点的概率。CN113025994ACN113025994A权利要求书1/1页1.一种炉管清洁方法，其特征在于，所述的炉管清洁方法包括：(Ⅰ)对炉管依次进行吹扫和抽空，完成一次吹扫抽空操作，重复吹扫抽空操作至少两次；(Ⅱ)待炉管内稳压后维持一段时间，随后将炉管内抽空，完成一次稳压抽空操作，重复稳压抽空操作至少两次；(Ⅲ)对炉管内依次进行清洗、抽空和充气，完成炉管的清洁工作。2.根据权利要求1所述的炉管清洁方法，其特征在于，所述的炉管清洁方法还包括：在步骤(Ⅰ)开始前对炉管进行预抽空，使得炉管内部处于真空状态；优选地，所述的预抽空过程包括依次进行的慢抽空和主抽空。3.根据权利要求2所述的炉管清洁方法，其特征在于，所述的慢抽空的抽气时间为120～220s；优选地，所述的慢抽空结束后，炉管内的真空度≤1520Pa。4.根据权利要求2或3所述的炉管清洁方法，其特征在于，所述的主抽空的抽空时间为30～90s；优选地，所述的主抽空结束后，炉管内的真空度≤30Pa。5.根据权利要求1‑4任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，步骤(Ⅰ)中，所述的吹扫过程采用的吹扫气体为氮气；优选地，所述的吹扫气的流量为500～3500sccm，进一步优选为2000sccm；优选地，所述的吹扫过程的温度为420～600℃；优选地，吹扫的总时长控制在10～50min；优选地，每次吹扫的时长为100～200s。6.根据权利要求1‑5任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，步骤(Ⅰ)中，所述抽空后的炉管内真空度≤30Pa。7.根据权利要求1‑6任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，步骤(Ⅱ)中，待炉管内稳压后维持100～280s；优选地，将炉管内抽空至真空度≤30Pa。8.根据权利要求1‑7任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，步骤(Ⅲ)中，所述的清洗过程包括：向炉管内通入氮气，将炉管内的残留气体及粉尘全部清空；优选地，所述抽空后的炉管内真空度≤30Pa；优选地，所述的充气过程包括：向炉管内通入氮气，使得炉管内的压力与外界压力保持一致。9.根据权利要求1‑8任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，所述的炉管清洁方法还包括：按照步骤(Ⅰ)、步骤(Ⅱ)和步骤(Ⅲ)的顺序完整循环至少两次。10.根据权利要求1‑9任一项所述的炉管清洁方法，其特征在于，所述的炉管为PECVD炉管。2CN113025994A说明书1/7页一种炉管清洁方法技术领域[0001]本发明属于炉管清洁技术领域，涉及一种炉管清洁方法。背景技术[0002]PECVD，即：等离子体增强化学气相沉积法。PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积。[0003]在太阳能光伏电池片生产工艺中，石墨舟作为承载硅片在PECVD炉管内运行镀膜工艺的过程中，石墨舟的表面也同时沉积了一层SiNx介质薄膜。石墨舟运行的次数在达到一定的饱和状态后，会出现氮化硅粉末脱落的情况，因此在镀膜过程中，PECVD炉管内也就会慢慢的堆积氮化硅粉末。另外，硅片在插片过程中，工艺卡点未将硅片卡到位的情况下，送入PECVD炉管内运行镀膜工艺，未卡到位的硅片也会掉落在PECVD炉管中。久而久之，经过长时间的多次数工艺运行，炉管内残留堆积多数的碎片及氮化硅粉末。进而晶体硅太阳电池在