一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法.pdf
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相关资料
一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法.pdf
本发明涉及多晶硅生产设备技术领域,具体涉及一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法。主要技术方案为:一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构,包括:第一硅芯、第二硅芯和横梁;所述第一硅芯上设置有第一插接部;所述第二硅芯上设置有第二插接部;所述横梁的一端插接在所述第一插接部上;所述横梁的另一端插接在所述第二插接部上。采用本发明能够提升硅芯结构的可靠性。
一种硅芯搭接结构及其搭接方法.pdf
一种硅芯搭接结构及其搭接方法,涉及人工晶体制备领域,本发明将U型横硅芯(1)开口端两直线段的下端头与两根竖硅芯(4)的上端头搭接,将原有直线形横硅芯与竖硅芯十字交叉的搭接方式更改为直线形搭接方式,较传统的搭接方式降低了搭接点的高度,使搭接点尽可能的离开炉室内温度的最高部位,并使搭接点所处的位置更加靠近炉底的进气口,进而实现减少搭接点部位菜花料的形成,有效的提高了沉积硅棒的质量及多晶硅生产企业的市场竞争力等,适合大范围的推广和应用。
多晶硅还原炉的硅芯结构.pdf
一种多晶硅还原炉的硅芯结构,其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯、第二硅芯和横梁其中之一至少有一部分为石墨材料制作。一种多晶硅还原炉的硅芯结构,其包括第一硅芯、第二硅芯和搭接第一硅芯和第二硅芯的横梁。第一硅芯包括晶硅部与晶硅部连接的石墨部。本发明的多晶硅还原炉的硅芯结构,在硅芯材料上至少部分选用了石墨材料,材料成本和加工成本都较低。
多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置.pdf
本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置,该硅芯击穿方法包括以下步骤:向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换,再通入380~400℃的氢气进行置换,通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热;打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时,此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380~400℃,可维持硅芯为导体,不会导致硅芯电流、电压波动,实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200~300Ω·cm的电阻率的硅芯,提升还原一次转化率,由于击穿硅芯的电阻率大大提高,减少了现有技术为
一种改进型多晶硅还原炉及其多晶硅还原生产方法.pdf
本发明公开了一种改进型多晶硅还原炉及其多晶硅还原生产方法,包括炉筒、底盘、连通于炉筒底部的底部尾气管路和尾气二次进口管路以及连通于炉筒顶部的顶部尾气管路,且顶部尾气管路的另一端分别通过第一调流阀和第二调流阀连通至尾气二次进口管路和底部尾气管路;其中,根据流量计调控第一调流阀和第二调流阀的开度大小以调节底部尾气管路的尾气流量,且根据温度计调节对所述顶部尾气管路进行冷却的冷却水管流量大小,实现了在还原炉的上部和下部同时出气,保证还原炉内部气体分布均匀,并有效降低还原炉的顶部温度,降低还原炉顶部菜花料,进而有助