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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113167653A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号201980074967.5(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限(22)申请日2019.09.13责任公司11219代理人满凤金龙河(30)优先权数据2018-2178412018.11.21JP(51)Int.Cl.G01J5/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日G01J5/60(2006.01)2021.05.13(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0361292019.09.13(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/105255JA2020.05.28(71)申请人杰富意钢铁株式会社地址日本东京(72)发明人剑持光俊权利要求书2页说明书14页附图13页(54)发明名称温度测定装置的校准方法、温度测定装置的校准装置、物理量测定装置的校准方法和物理量测定装置的校准装置(57)摘要本发明的温度测定装置的校准方法包括下述步骤:在变更前的温度测定装置和变更后的温度测定装置中,在不同的多个温度的每个温度下测定黑体炉的辐射能量的分光谱信息和暗电流数据,使用所测定的信息,由在变更前的温度测定装置中测定的利用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息生成关于变更后的温度测定装置的使用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息,使用所生成的信息,确定变更后的温度测定装置中的基底谱和校准曲线。CN113167653ACN113167653A权利要求书1/2页1.一种温度测定装置的校准方法,其中,对从测定对象物发出的辐射能量进行分光测定、对所得到的分光谱信息进行信号处理来对测定对象物的表面温度进行测定,所述表面温度的测定基于由所述测定对象物得到的分光谱信息算出预先获取的基底谱的分数并使用所述分数根据预先获取的校准曲线来进行,所述基底谱和所述校准曲线是根据使用接触式温度计对测定对象物进行测定而得到的温度测定值来确定,所述温度测定装置的校准方法的特征在于,包括下述步骤:在变更前的温度测定装置和变更后的温度测定装置中,在不同的多个温度的每个温度下测定黑体炉的辐射能量的分光谱信息和暗电流数据,使用所测定的信息,由在变更前的温度测定装置中测定的利用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息生成关于变更后的温度测定装置的使用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息,使用所生成的信息,确定变更后的温度测定装置中的所述基底谱和所述校准曲线。2.如权利要求1所述的温度测定装置的校准方法,其特征在于,在确定所述基底谱时,由测定对象物的分光谱信息与对温度与利用所述接触式温度计的温度测定值相同的黑体炉进行测定而得到的辐射能量的分光谱信息之比算出辐射率,将与对基于该辐射率的辐射率变动进行主成分分析而得到的主成分正交的谱确定为所述基底谱,或者,通过对测定对象物的分光谱信息和利用所述接触式温度计的温度测定值应用偏最小二乘法来确定所述基底谱。3.一种温度测定装置的校准装置,其中,对从测定对象物发出的辐射能量进行分光测定、对所得到的分光谱信息进行信号处理来对测定对象物的表面温度进行测定,所述表面温度的测定基于由所述测定对象物得到的分光谱信息算出预先获取的基底谱的分数并使用所述分数根据预先获取的校准曲线来进行,所述基底谱和所述校准曲线是根据使用接触式温度计对测定对象物进行测定而得到的温度测定值来确定,所述温度测定装置的校准装置的特征在于,具备下述单元:使用在变更前的温度测定装置和变更后的温度测定装置中测定的、不同的多个温度的每个温度的黑体炉的辐射能量的分光谱信息和暗电流数据,由在变更前的温度测定装置中测定的利用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息生成关于变更后的温度测定装置的使用接触式温度计的温度测定值和与该温度测定值对应的分光谱信息,使用所生成的信息,确定变更后的温度测定装置中的所述基底谱和所述校准曲线。4.如权利要求3所述的温度测定装置的校准装置,其特征在于,在确定所述基底谱时,由测定对象物的分光谱信息与对温度与利用所述接触式温度计的温度测定值相同的黑体炉进行测定而得到的辐射能量的分光谱信息之比算出辐射率,将与对基于该辐射率的辐射率变动进行主成分分析而得到的主成分正交的谱确定为所述基底谱,或者,通过对测定对象物的分光谱信息和利用所述接触式温度计的温度测定值应用偏最小二乘法来确定所述基底谱。5.一种物理量测定装置的校准方法,其中,对从测定对象物发出的辐射能量进行分光测定、对所得到的分光谱信息进行信号处理来进行测定对象物的物理量的测定,所述物理量的测定基于由所述测定对象物得到的分光谱信息算出预先获取的