温度测定装置、温度测定方法以及温度衰减测定方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115917273A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202180040773.0(72)发明人圆山重直冈部孝裕井関祐也(22)申请日2021.06.15野中崇古川琢磨细川靖田畑裕太郎松舘直史中岛利宪(30)优先权数据东雅也折戸学2020-1076862020.06.23JP(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理(85)PCT国际申请进入国家阶段日有限公司112052022.12.06专利代理师王蕊黄健(86)PCT国际申请的申请数据(51)Int.Cl.PCT/JP2021/0226472021.06.15G01K7/22(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据A61B10/00(2006.01)WO2021/261327JA2021.12.30A61B5/01(2006.01)(71)申请人世美特株式会社地址日本东京墨田区锦糸1丁目7番7号申请人独立行政法人国立高等专门学校机构国立大学法人弘前大学权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称温度测定装置、温度测定方法以及温度衰减测定方法(57)摘要本发明提供一种温度测定装置、温度测定方法以及温度衰减测定方法，能够以高精度、高准确性以及高速响应性来测量被测定体的温度，并且可将测定用薄膜感温元件的温度保持为比被测定体的温度低的关系。温度测定装置(10)包括：感温部(41)，探测温度；测定用薄膜感温元件(1)，通过使所述感温部(41)接触至被测定体，从而可测定温度；保护加热用薄膜感温元件(2)，与所述测定用薄膜感温元件(1)隔着隔热层(S1)可进行热交换地配置，且受到控制，以使温度变得与所述测定用薄膜感温元件(1)相等；温度控制元件(3)，可将所述测定用薄膜感温元件(1)设为比所述被测定体的温度低固定温度的温度状态；以及控制处理部(5)，控制所述测定用薄膜感温元件(1)、所述保护加热用薄膜感温元件(2)以及所述温度控制元件(3)。CN115917273ACN115917273A权利要求书1/2页1.一种温度测定装置，其特征在于包括：感温部，探测温度；测定用薄膜感温元件，通过使所述感温部接触至被测定体，从而能够测定温度；保护加热用薄膜感温元件，与所述测定用薄膜感温元件隔着隔热层能够进行热交换地配置，且受到控制，以使温度变得与所述测定用薄膜感温元件相等；温度控制元件，能够将所述测定用薄膜感温元件设为比所述被测定体的温度低固定温度的温度状态；以及控制处理部，控制所述测定用薄膜感温元件、所述保护加热用薄膜感温元件以及所述温度控制元件。2.根据权利要求1所述的温度测定装置，其特征在于，所述测定用薄膜感温元件以及保护加热用薄膜感温元件为薄膜热敏电阻。3.根据权利要求2所述的温度测定装置，其特征在于，所述测定用薄膜感温元件以及保护加热用薄膜感温元件具有基板与形成于所述基板上的导电层以及薄膜元件层，所述基板的厚度尺寸形成为200μm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述测定用薄膜感温元件以及保护加热用薄膜感温元件为相同的规格以及特性的薄膜感温元件。5.根据权利要求1至4中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述温度控制元件为珀尔帖元件。6.根据权利要求1至5中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述隔热层为空气层，层厚尺寸形成为0.05mm～1mm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述测定用薄膜感温元件、保护加热用薄膜感温元件以及温度控制元件被装入至导管的前端部。8.根据权利要求1至6中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述测定用薄膜感温元件、保护加热用薄膜感温元件以及温度控制元件被装入至笔型的支架。9.根据权利要求1至8中任一项所述的温度测定装置，其特征在于，所述控制处理部进行控制，以对所述测定用薄膜感温元件施加固定电力的第一热脉冲，并且对所述测定用薄膜感温元件施加时宽比所述第一热脉冲长的固定电力的第二热脉冲。10.一种温度测定方法，其特征在于包括：感温部，探测温度；测定用薄膜感温元件，能够测定温度；保护加热用薄膜感温元件，与所述测定用薄膜感温元件隔着隔热层而配置；以及温度控制元件，能够控制所述测定用薄膜感温元件的温度，所述温度测定方法包括下述步骤：通过所述温度控制元件，将所述测定用薄膜感温元件的温度设定控制为比被测定体低固定温度的温度；使所述感温部接触至被测定体；进行控制，以使所述测定用薄膜感温元件的温度与保护加热用薄膜感温元件的温度变得相等；以及输出所述被测定体的温度的测量结果。11.一种温度衰减测定方法，其特征在于包括：2CN115917273A权利要求书2/2页感温部，探测温度；测定用薄膜感温元件，能够测定温度；