一种二硫化钼薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113151782A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号202110432046.0(22)申请日2021.04.21(71)申请人金堆城钼业股份有限公司地址710077陕西省西安市高新区锦业一路88号(72)发明人唐军利(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人王丹(51)Int.Cl.C23C14/06(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/58(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种二硫化钼薄膜的制备方法(57)摘要本发明一种二硫化钼薄膜的制备方法，将工件去油去污，超声波清洗30～60min，得到清洗后的工件，然后将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品，最后将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。本发明通过在磁控溅射过程中使用高电压、低电流可以使得二硫化钼的晶型定向排列，从而得到银灰色二硫化钼薄膜，一方面可以提高二硫化钼润滑效果，另一方面磁控溅射控制容易，工艺简单，适于大规模工业化生产。CN113151782ACN113151782A权利要求书1/1页1.一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，利用超声波清洗工件，得到清洗后的工件；步骤2，将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品；步骤3，将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中超声波功率为100～200W，清洗时间为30～60min。3.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中二硫化钼靶材由天然辉钼精矿提纯制备而成。4.根据权利要求3所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中磁控溅射气压为5～10Pa，磁控溅射电压为600～800V，磁控溅射电流为1～2A，工件温度为180～200℃，磁控溅射时间为60～90min。5.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中退火温度为150～180℃，退火时间为15～30min。2CN113151782A说明书1/3页一种二硫化钼薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明属于涂层材料制备方法技术领域，涉及一种二硫化钼薄膜的制备方法。背景技术[0002]二硫化钼具有类似石墨一样的层状结构，因此具有良好的耐温性和润滑性，以及较低的摩擦因数。且二硫化钼分子结构内的S原子与金属原子如Fe原子间存在键能，因此二硫化钼对金属的粘附力很强，使二硫化钼能很好地附着在金属工件表面并始终发挥润滑功能，是一种性能卓越的金属硫化物固体润滑材料。二硫化钼润滑涂层因具有良好的抗极压性能、抗磨性能、耐高温性能和自润滑性能，因而在各个领域的润滑、减磨方面被广泛使用。现有天然辉钼精矿提纯制备而成的二硫化钼为2H片层状，但一般2H片层状二硫化钼的晶型都为不定向排列，使得制备而成的二硫化钼薄膜润滑效果不太理想。发明内容[0003]本发明目的在于提供一种二硫化钼薄膜的制备方法，以提高现有二硫化钼薄膜润滑效果。[0004]为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：[0005]一种二硫化钼薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：[0006]步骤1，将工件去油去污，超声波清洗30～60min，得到清洗后的工件；[0007]步骤2，将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品；[0008]步骤3，将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。[0009]其中步骤1中超声波功率100～200W。[0010]其中步骤2中二硫化钼靶材由天然辉钼精矿提纯制备而成。[0011]其中步骤2中磁控溅射气压为5～10Pa，磁控溅射电压为600～800V，磁控溅射电流为1～2A，工件温度为180～200℃，磁控溅射时间为60～90min。[0012]其中步骤3中退火温度为150～180℃，退火时间为15～30min。[0013]本发明一种二硫化钼薄膜的制备方法具有以下优点：通过在磁控