一种二硫化钼薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114150266A(43)申请公布日2022.03.08(21)申请号202111466962.2(22)申请日2021.12.02(71)申请人西安文理学院地址710065陕西省西安市科技六路1号(72)发明人成桢王红英李姝丽张变莲(74)专利代理机构北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙)11825代理人刘文骞(51)Int.Cl.C23C14/06(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/58(2006.01)C23C14/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种二硫化钼薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法，采用将工件进行清洗，而后将洗净的工件放置于磁控溅射炉内，在真空环境下进行恒流源溅射处理；处理后的工件放入加热炉中加热，并通入氧气进行高温氧化；最后将高温氧化的工件采用氮气喷枪吹气进行退火，退火至常温得到附着二硫化钼薄膜的工件。本发明采用溅射后高温氧化并退火工艺，有效与金属工件表面结合，保证了二硫化钼材料与金属工件表面之间的结合力，使转移过程中不会引入额外的缺陷，提高了制得附着二硫化钼工件的质量；再通过调整制备过程中的各反应参数或者原料质量比，提高制得的薄膜的质量。操作步骤较简单，且产品质量较高，较适合能满足耐磨、抗压、耐高温、润滑的工件表面质量要求。CN114150266ACN114150266A权利要求书1/1页1.一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将工件进行清洗；S2：将洗净的工件放置于磁控溅射炉内，在真空环境下进行恒流源溅射处理；S3：将处理后的工件放入加热炉中加热，并通入氧气进行高温氧化；S4：将高温氧化的工件采用氮气喷枪吹气进行退火，退火至常温得到附着二硫化钼薄膜的工件。2.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，工件的清洗包括以下步骤：S1.1：将工件进行喷砂清洁；S1.2：将喷砂清洁的工件放入去离子水中进行超声清洗。3.根据权利要求2所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述喷料料的粒径为：0.2mm‑0.3mm；用于喷射所述喷料的压缩空气压力为：0.6±0.05MPa；用于喷射所述喷料的喷嘴至所述工件表面距离为：20cm‑25cm。4.根据权利要求2所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述超声波清洗的功率为300‑400W，清洗时间为100‑120min。5.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，真空度为1.5×10‑3Pa。6.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，磁控溅射气压为12‑15Pa；磁控溅射电压为900‑1000V；磁控溅射电流为4‑6A；磁控溅射时间为40‑50min。7.根据权利要求1所述的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，加热温度为800‑1100℃，高温氧化时间为70‑90min。2CN114150266A说明书1/3页一种二硫化钼薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及材料技术加工方法领域，尤其涉及一种二硫化钼薄膜的制备方法。背景技术[0002]传统的二硫化钼薄膜制备方法是将二硫化钼材料Si衬底上制备然后移植到其它材料上。这种技术虽然简单易行，通用性强，但是却具有非常致命的缺点，就是二硫化钼材料与衬底材料的结合力比较差，转移过程中会引入额外的缺陷，降低产品质量，另外转移移植过程也相当繁琐。因此，这样所制得的材料也就无法广泛应用，其物理性能较弱，需要一种新的二硫化钼薄膜的新制备方法。发明内容[0003]本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种二硫化钼薄膜的制备方法。[0004]本发明通过以下技术方案来实现上述目的：[0005]本发明包括以下步骤：[0006]S1：将工件进行清洗；[0007]S2：将洗净的工件放置于磁控溅射炉内，在真空环境下进行恒流源溅射处理；[0008]S3：将处理后的工件放入加热炉中加热，并通入氧气进行高温氧化；[0009]S4：将高温氧化的工件采用氮气喷枪吹气进行退火，退火至常温得到附着二硫化钼薄膜的工件。[0010]进一步，所述步骤S1中，工件的清洗包括以下步骤：[0011]S1.1：将工件进行喷砂清洁；[0012]S1.2：将喷砂清洁的工件放入去离子水中进行超声清洗。[0013]优选的，所述喷料料的粒径为：0.2mm‑0.3mm；用于喷射所述喷料的压缩空气压力为：0.6±0.05MPa；用于喷射所述喷料的喷嘴至所述工件表面距离为：20cm‑25cm。[0014]优选的，所述超声波清洗的功率为300‑400W，清洗时间为100‑120