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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113166969A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号201980076758.4(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所(22)申请日2019.11.19有限公司11038代理人张进(30)优先权数据102018129492.12018.11.22DE(51)Int.Cl.C30B29/20(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C30B25/08(2006.01)2021.05.21C30B25/14(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C30B29/06(2006.01)PCT/EP2019/0817702019.11.19(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/104444EN2020.05.28(71)申请人艾伯纳工业炉公司地址奥地利莱昂丁(72)发明人R·艾伯纳G·巴巴里熊治勇B·格鲁恩权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称晶体生长设备(57)摘要本发明涉及一种用于生长晶体的设备(100)。该设备包括腔室(101)和布置在腔室(101)的可加热的容纳空间(103)中的坩埚(102),其中,坩埚(102)包括构造成用于在内部生长晶体的内部容积(104)。坩埚(102)包括底部(105),相应的侧壁(106)从该底部延伸到坩埚(102)的顶部部段(107)。坩埚(102)包括至少一个沉积部段(D1至D7),该沉积部段(D1至D7)构造成用于附着籽晶(108),其中该沉积部段(D1至D7)形成在坩埚(102)的侧壁(106)与顶部部段(107)中的至少一者上。CN113166969ACN113166969A权利要求书1/2页1.一种用于生长晶体的设备(100),所述设备(100)包括:腔室(101),以及坩埚(102),所述坩埚(102)布置在所述腔室(101)的可加热的容纳空间(103)中,其中,所述坩埚(102)包括内部容积(104),所述内部容积(104)构造成用于在内部生长晶体,其中,所述坩埚(102)包括底部(105),相应的侧壁(106)从所述底部延伸到所述坩埚(102)的顶部部段(107),其中,所述坩埚(102)包括至少一个沉积部段(D1‑D7),所述沉积部段构造成用于附着籽晶(108),其中,所述沉积部段(D1‑D7)形成在所述坩埚(102)的所述侧壁(106)和所述顶部部段(107)中的至少一者上。2.根据权利要求1所述的设备(100),其中,所述底部(105)没有用于籽晶(108)的沉积部段(D1‑D7)。3.根据权利要求1或2所述的设备(100),其中,所述坩埚(102)沿着竖向方向在所述底部(105)与所述顶部部段(107)之间延伸。4.根据权利要求1至3中的一项所述的设备(100),其中,所述坩埚(102)包括多个沉积部段(D1‑D7),每个沉积部段构造成用于附着籽晶(108),其中,所述沉积部段(D1‑D7)彼此间隔开并且形成在所述坩埚(102)的所述侧壁(106)和所述顶部部段(107)中的至少一者上。5.根据权利要求1至4中的一项所述的设备(100)。其中,所述坩埚(102)包括自内表面延伸到所述内部容积(104)中的至少一个突起(109),特别是包括从所述坩埚(102)的所述侧壁(106)或所述顶部部段(107)延伸到所述内部容积(104)中的至少一个突起(109),其中,所述沉积部段(D1‑D7)形成在所述突起(109)处。6.根据权利要求5所述的设备(100),其中,所述坩埚(102)包括从所述坩埚(102)的所述内表面延伸到所述内部容积(104)中的多个突起(109),其中,所述突起(109)彼此间隔开。7.根据权利要求1至6中的一项所述的设备(100)。其中,所述坩埚(102)包括至少一个喷嘴(110),其中,所述喷嘴(110)构造成用于将反应气体/液体(111)注入到所述坩埚(102)的所述内部容积(104)中。8.根据权利要求7所述的设备(100),其中,所述至少一个喷嘴(110)构造成用于朝着所述至少一个沉积部段(D1‑D7)中的一个沉积部段的方向喷射所述反应气体/液体(111)。9.根据权利要求7或8所述的设备(100),其中,所述坩埚(102)包括部分地在所述坩埚(102)的所述底部(105)与所述顶部部段(107)之间延伸的喷射柱元件(112),2CN113166969A权利要求书2/2页其中,所述喷射柱元件(112)包括所述至少一个喷嘴(110)。10.根据权利要求9所述的设备(100),其中,所述喷射柱元件(112)与形成在所述坩埚(102)的所述底部(105)中的反应气体/液体接口(113)联接。11.根据权利要求1至1