一种改善CVD表面缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113270312A(43)申请公布日2021.08.17(21)申请号202110523983.7C11D7/06(2006.01)(22)申请日2021.05.13C11D7/60(2006.01)C11D3/39(2006.01)(71)申请人中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）地址550018贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号(72)发明人谈林乖曹威王博时功权洪杜桥王贵杨晓东何静陈侃(74)专利代理机构贵州派腾知识产权代理有限公司52114代理人谷庆红(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)C11D7/08(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种改善CVD表面缺陷的方法(57)摘要本发明公开了一种改善CVD表面缺陷的方法，包括以下步骤：把陪片与硅片进行清洗后，将两者的背面贴上白膜并放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，此过程分为两个阶段，第一阶段是使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，开始沉积为硅片做衬底；第二阶段是通入硅烷进行沉积，完成化学气相沉淀过程将两者取出，最后去除两者背面的白膜。所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其光滑的高分子化合物使得硅片表面粗糙度进一步降低，并且白膜的粘性不会对硅片背面的氧化层造成影响，从而在化学气相沉淀过程中有效的抵挡住各种杂质，显著的减少CVD多晶硅中的雾状区域和颗粒数量。CN113270312ACN113270312A权利要求书1/1页1.一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,包括以下步骤：1)将陪片与硅片用溶液A清洗3‑10min后，再用溶液B清洗3‑10min；2)清洗完成后分别将陪片和硅片两者的背面贴上白膜；3)将贴有白膜的硅片和陪片在真空环境下保持120‑180min；4)将两者取出，放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，所述化学气相沉淀分为两个阶段；第一阶段是先进行一氧化二氮冲洗，然后通入硅烷，使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，保持在300‑500℃进行沉积，为硅片做衬底；第二阶段是将第一阶段所得有衬底的硅片升温至620‑640℃，抽真空保持1‑2h后，通入硅烷进行沉积；5)沉积完成后将两者取出，去除硅片与陪片两者背面的白膜；所述溶液A为过氧化氢与浓盐酸的混合溶液，溶液B为过氧化氢与氨水的混合溶液。2.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述真空环境的压强为0Pa‑0.7Pa。3.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述溶液A中过氧化氢与浓盐酸的体积比为1:2，温度为70‑90℃。4.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述溶液B中过氧化氢与氨水的体积比为1:4，温度为70‑90℃。5.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其粘性为1N。6.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述第一阶段的工艺条件为:硅烷的流量为200SCCM，一氧化二氮的流量为6000SCCM，压力为2.2torr。7.根据权利要求1所述的一种改善CVD表面缺陷的方法，其特征在于,所述第二阶段的工艺条件为：硅烷的流量为80‑160SCCM，压力为0.2‑0.3torr。2CN113270312A说明书1/3页一种改善CVD表面缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种改善CVD表面缺陷的方法。背景技术[0002]CVD的Poly‑Si制作是现有的一种半导体行业的介质膜成膜工艺，用来生长一层均匀的多晶硅，多晶硅具有良好的高温特性和压阻特性，且无P‑N结隔离问题，但是CVD通过化学反应生成所求物的方法会带来很多杂质，如在温度较高的区域进行正式硅片的工艺试验，往往在其他区域需要放入陪片填充满，而陪片的背面为非成膜面所以比多晶硅更容易吸附气体，因此更容易有硅烷的残留，装好硅片后，关闭炉子门进行抽气的一瞬间，由于微量氧的存在，炉子门就容易产生燃烧现象，导致陪片与硅片出现成雾状区域和颗粒杂质，从而导致无法曝光对位，对掩膜版对位产生严重影响，此外颗粒的存在会阻断载流子疏运，不利于光电性能转换，并且由于杂质的形成，容易影响到硅片的后续加工工艺，从而导致硅片的产量与质量的下降。[0003]专利CN201810907047.4一种硅片的清洗方法及硅片，所述硅片放入所述酸性清洗剂中浸泡；从所述酸性清洗剂中取出所述硅片，将所述硅片放入去离子水中进行清洗。此方法虽然清除硅片上的金属杂质，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命，但对于清除硅片表面的各种有机物效果较差，且没有可以在硅片加工