覆铜陶瓷的制造方法及其复合板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113278910A(43)申请公布日2021.08.20(21)申请号202010107032.7B32B37/06(2006.01)(22)申请日2020.02.20(71)申请人江文忠地址中国台湾桃园市(72)发明人江文忠(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139代理人李林(51)Int.Cl.C23C8/16(2006.01)C23C8/04(2006.01)B32B15/20(2006.01)B32B15/04(2006.01)B32B9/04(2006.01)B32B9/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称覆铜陶瓷的制造方法及其复合板(57)摘要本发明有关一种覆铜陶瓷的制造方法及其复合板，包括：a.铜箔单面热氧化步骤，将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中，氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中，致使铜箔因软化而贴紧制程载板，氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中，让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层，铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气，使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化；b.陶瓷覆铜步骤，使用两片步骤a所制备的铜箔，而将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于一陶瓷板的两表面，并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理，而将两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。如此，具有陶瓷板可双面同时覆铜而予以复合。CN113278910ACN113278910A权利要求书1/1页1.一种单面热氧化铜箔的方法，其特征在于：将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中，氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中，致使铜箔因软化而贴紧制程载板，氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中，让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层，铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气，使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化。2.根据权利要求1所述的单面热氧化铜箔的方法，其特征在于，制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。3.根据权利要求2所述的单面热氧化铜箔的方法，其特征在于，制程载板材质为铝或铁。4.根据权利要求1、2或3所述的单面热氧化铜箔的方法，其特征在于，氧化热处理前半段进行5～30分钟，而使温度由室温逐渐增温至600～900℃，并在600～900℃恒温维持2～15分钟；氧化热处理后半段进行5～30分钟，而先在600～900℃恒温维持2～15分钟，再使温度由600～900℃逐渐降温至室温。5.一种双面覆铜陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括：a.铜箔单面热氧化步骤，将铜箔平贴于制程载板送入可控制含氧量的氧化热处理炉中，氧化热处理前半段在含氧量0ppm的高温环境中，致使铜箔因软化而贴紧制程载板，氧化热处理后半段在含氧量200ppm至500ppm的高温环境中，让铜箔的顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层，铜箔的底面则因贴紧制程载板而不会接触到氧气，使得铜箔底面在高温环境中也不会热氧化；以及b.陶瓷覆铜步骤，使用两片步骤a所制备的铜箔，而将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于一陶瓷板的两表面，并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理，而将两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。6.根据权利要求5所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法，其特征在于，制程载板材质选用氧化活性大于或等于铜的材质。7.根据权利要求6所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法，其特征在于，制程载板材质为铝或铁。8.根据权利要求5、6或7所述双面覆铜陶瓷基板的制造方法，其特征在于，氧化热处理前半段进行5～30分钟，而使温度由室温逐渐增温至600～900℃，并在600～900℃恒温维持2～15分钟；氧化热处理后半段进行5～30分钟，而先在600～900℃恒温维持2～15分钟，再使温度由600～900℃逐渐降温至室温。9.一种双面覆铜陶瓷基板，其特征在于，使用如权利要求5至8中任一项所述方法予以制造，包括：两片铜箔，先在含氧量0ppm的高温环境中，致使铜箔底面因软化而贴紧于制程载板，再于含氧量200ppm至500ppm的高温环境中，让铜箔仅有顶面因裸露在高温含氧的环境而形成均匀氧化铜薄层；以及一片陶瓷板，将两片铜箔的氧化铜薄层平贴于两表面，并于1063℃至1083℃的温度下进行接合热处理，使得两片铜箔结合于陶瓷板的两表面。2CN113278910A说明书1/3页覆铜陶瓷的制造方法及其复合板技术领域[0001]本发明涉及一种覆铜陶瓷的制造方法及其复合板，尤指一种利用控制含氧量致使铜箔仅单一表面具有氧化铜薄层，再将仅单一表面具有氧化铜薄层的铜箔复合于陶瓷板的设计者。背