一种常压烧结装置.pdf
Ch****91
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一种常压烧结装置.pdf
本发明涉及一种常压烧结装置,属于烧结装置技术领域。该常压烧结装置的外保温层和内保温层之间通有惰性保护气氛,惰性保护气氛起到防止发热体高温下发生氧化的作用,内保温层内通有流动氧气气氛,内保温层的外侧壁上固定有多个发热体,发热体产生的热量通过导热孔进入内保温层,将待烧结的陶瓷素坯放入到内保温层内的炉膛中进行烧结,氧气在烧结过程中可以有效促进石榴石、刚玉、倍半氧化物等基质荧光陶瓷的致密化,获得高品质的荧光陶瓷,实现包括荧光陶瓷在内的多种陶瓷致密化批量烧结,大幅降低致密化陶瓷的烧结成本。该常压烧结装置可以实现多种
一种常压给水防冻装置.pdf
本发明公开了一种常压给水防冻装置,其与一给水系统的水箱连接,所述给水系统的出水管路贯穿于地面冻土层,所述水箱为置于地下防冻土层中的常压水箱,所述水箱的出水口处连接一排水泵,所述排水泵为回流型排水泵,所述排水泵的排水口与所述出水管路连接;启动所述排水泵时,所述水箱中的水泵入所述出水管路中排出,关闭排水泵时,所述出水管路中的位于冻土层及以上区域的存留水由所述排水泵中回流至水箱中。本发明通过控制回流型排水泵的启闭动作,迅速将出水管路中的存留水排净,使存留水回流至水箱中,节省了水源,避免了贯穿冻土层及其位于地面部
一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法.pdf
本发明涉及一种TFT级ITO靶材的常压烧结方法,具体步骤是:选取超高活性ITO纳米粉,将造粒后的ITO粉通过模压成型,成型压力25~80MPa,保压时间15~300秒;再经冷等静压加固,等静压压力为180~300MPa,保压时间为300~1200秒;然后直接放入烧结炉中,通入气氛并以一定的升温速率,分多段升温保温,再以一定的速率进行降温至室温来完成烧结。其特点是,将添加成型剂造粒后的ITO粉通过模压成型,冷等静压加固后,直接放入烧结炉进行烧结。将原有的脱脂过程通过烧结制程的设计,融入烧结过程,一并在烧结炉
一种常压烧结碳化硅及其制作工艺.pdf
一种常压烧结碳化硅,包括下列组分且各组分含量(按质量百分比计)如下:80~90%的碳化硅,6~9%的树脂,0.5~0.8%的碳化硼,余量为脱模剂。一种加工常压烧结碳化硅的制作工艺,首先通过混粉机将原料搅拌15至25小时充分混合,再把混料机里的原料经过喷雾造粒后,将造粒后的粉料通过压机压制成型,然后装入烧结炉,先抽真空到-0.01MPA,等温度升到1200℃的时候停止抽真空,充Ar气到常压,然后继续升温到1800℃,保温30分钟,然后继续升温到2150至2200℃,保温30-50分钟,自然冷却。因为选用更细
一种常压烧结碳化硅陶瓷件的制备方法.pdf
本发明涉及常压烧结碳化硅陶瓷件加工领域。为解决超大超薄的环类以及超长棒管类常压烧结碳化硅陶瓷件烧结变形大,生产效率低,成本高的问题,本发明提出一种常压烧结碳化硅陶瓷件的制备方法,步骤如下:选用具有稳定的膨胀系数的石墨材料制作石墨烧具,当待制备常压烧结碳化硅陶瓷件为超大薄壁环时,石墨烧具为圆管状结构;当待制备常压烧结碳化硅陶瓷件为超长棒管时,石墨烧具为顶部设置有条形支撑槽的块状结构;将待制备常压烧结碳化硅陶瓷件与相应的石墨烧具装配在一起放入高温真空炉中进行烧结,得到常压烧结碳化硅陶瓷件。采用本发明常压烧结碳