一种常压烧结碳化硅陶瓷件的制备方法.pdf
涵蓄****09
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
一种常压烧结碳化硅陶瓷件的制备方法.pdf
本发明涉及常压烧结碳化硅陶瓷件加工领域。为解决超大超薄的环类以及超长棒管类常压烧结碳化硅陶瓷件烧结变形大,生产效率低,成本高的问题,本发明提出一种常压烧结碳化硅陶瓷件的制备方法,步骤如下:选用具有稳定的膨胀系数的石墨材料制作石墨烧具,当待制备常压烧结碳化硅陶瓷件为超大薄壁环时,石墨烧具为圆管状结构;当待制备常压烧结碳化硅陶瓷件为超长棒管时,石墨烧具为顶部设置有条形支撑槽的块状结构;将待制备常压烧结碳化硅陶瓷件与相应的石墨烧具装配在一起放入高温真空炉中进行烧结,得到常压烧结碳化硅陶瓷件。采用本发明常压烧结碳
一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法.pdf
本发明公开了一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法,该方法以SiC粉体、二氧化硅、氧化铝、三氧化二钇、稀土氧化物和晶种为原料,通过分步分散和复合分散剂来实现各种烧结助剂成分与碳化硅粉体均匀,该方法可满足在无压烧结条件下以较少的烧结助剂添加量来制备致密碳化硅陶瓷的需要。能显著减少SiC陶瓷体中残留的玻璃相含量,提高陶瓷体的强度、韧性、热导率性等性能。
常压烧结碳化硼陶瓷的制备方法.pdf
本发明公开一种常压烧结碳化硼陶瓷的制备方法,包括以下步骤:将重量百分比为:碳化硼粉70~97wt%,碳化硅粉0~15wt%,碳粉1~15wt%放入球磨机;然后球磨制浆,球磨制浆过程另外加入去离子水,使得所得浆料的固含量为30~70wt%;所得浆料,利用喷雾干燥造粒工艺制得造粒料;将所制造粒料采用干压法成型或冷等静压成型工艺得到素坯;将素坯放入真空炉内,控制真空炉内真空度为10~1000Pa或通入惰性保护气体,在1900oC~2200oC温度下保温0.5~4h完成常压烧结得到碳化硼陶瓷。本发明具有致密度高、
一种碳化硅陶瓷常压固相烧结过程的数值模拟方法.pdf
本发明提供了一种碳化硅陶瓷常压固相烧结过程的数值模拟方法,包括以下步骤:(1)建立碳化硅陶瓷常压固相烧结过程的热粘弹性本构模型;(2)建立有限元分析模型;(3)定义烧结蠕变本构方程;(4)进行瞬态热结构耦合非线性仿真分析,获得碳化硅陶瓷产品上的温度场分布以及致密化收缩量;(5)通过与实时观测炉测得的试验数据对比,验证所述热粘弹性本构模型及有限元分析模型的正确性。本发明解决了目前碳化硅陶瓷常压固相烧结过程中无法实时测量陶瓷产品上的变形及温度分布状态,并且针对不同尺寸及结构形式的碳化硅陶瓷产品不能准确制定有针
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法.pdf
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法,包括以下步骤:按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结剂及固化剂倒入球磨罐内,并进行球磨以得到粘接剂‑碳化硅混合粉末;采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模,并将三维数字模型信息输入到激光选区烧结成型机,以所述粘接剂‑碳化硅混合粉末为原料,采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型,以得到所述零件的碳化硅素坯;对所述碳化硅素坯进行加热固化;将固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保护的中温管式烧结炉中进行碳化处理,以得到多孔碳化硅坯件;将所述多孔