Ge基硫系玻璃及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113735440A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202110935548.5C03B5/16(2006.01)(22)申请日2021.08.16(71)申请人宁波阳光和谱光电科技有限公司地址315105浙江省宁波市鄞州区潘火街道金谷中路（西）58号B栋3楼(72)发明人沈祥聂秋华徐铁峰王训四顾杰荣(74)专利代理机构宁波甬致专利代理有限公司33228代理人李魏娄莹(51)Int.Cl.C03C4/10(2006.01)C03C3/32(2006.01)C03B25/00(2006.01)C03B19/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称Ge基硫系玻璃及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种Ge基硫系玻璃，包括如下组分及配比：Ge：5At％～40At％；Ga：2At％～20At％；Ag：2At％～15At％；Te：30At％～80At％；本发明还公开了一种Ge基硫系玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、称取原料，将原料置入石英反应器中，对原料进行除杂，制得提纯物；S2、高温熔融和淬火，将封装有提纯后原料的石英管放入加热炉中进行高温熔融，加热结束后在石英管内获得熔融物，然后对封装的熔融物降温至400～450℃后淬火固化成型；S3、将淬火后的石英反应器退火，得到Ge基硫系玻璃。本发明的目的在于提供一种Ge基硫系玻璃，以缓解现有技术中Ge‑Te‑Se硫系玻璃热稳定性差的技术问题，降低Ge基硫系玻璃的生产难度。CN113735440ACN113735440A权利要求书1/1页1.一种Ge基硫系玻璃，其特征在于：包括如下组分及配比：Ge：5At％～40At％；Ga：2At％～20At％；Ag：2At％～15At％；Te：30At％～80At％；其中，所述Ge基硫系玻璃10μm波长的折射率>3。2.根据权利要求1所述的Ge基硫系玻璃，其特征在于：所述Ge基硫系玻璃的转变温度为150℃～160℃。3.根据权利要求2所述的Ge基硫系玻璃，其特征在于：所述Ge基硫系玻璃的密度为5.59g/cm3～5.75g/cm3，其10μm波长的折射率为3.47～3.50。4.一种如权利要求1‑3任一所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、称取原料，所述原料包括Ge、Ga、Ag和Te单质，将原料置入石英反应器中，抽真空后熔封石英反应器，并对原料进行除杂提纯，制得提纯物；S2、高温熔融和淬火，将封装有提纯后原料的石英管放入加热炉中进行高温熔融，加热温度为750～850℃，加热时间为30～35h，加热结束后在石英管内获得熔融物，然后对封装的熔融物降温至400～450℃后淬火固化成型；S3、将淬火后的石英反应器退火，得到Ge基硫系玻璃。5.根据权利要求4所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：S11、将称量好的Ge、Ga、Ag和Te单质均匀混合得到混合料，称取除氧剂，除氧剂的称取量为混合料总量的0.03‑0.1wt％；S12、所述石英反应器为H型双管石英安瓿，该H型双管石英安瓿包括原料管、提纯管以及接通原料管和提纯管的连接管，原料管的一端设有开口，将混合料和除氧剂混合均匀并置入原料管中，抽真空H型双管石英安瓿后，熔封原料管的开口；S13、将H型双管石英安瓿放入双温区蒸馏炉中，进行蒸馏提纯，在所述提纯管内得到Ge、Ga、Ag和Te的提纯物，然后用火焰封断连接管。6.根据权利要求5所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于：步骤S11中所述Ge、Ga、Ag和Te单质的纯度均不低于5N。7.根据权利要求5所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于：步骤S11中所述除氧剂为Mg或Al。8.根据权利要求5所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于：步骤S12中所述H型双管石英安瓿抽真空的过程中进行预热，抽真空的真空度不高于5*10‑5mbar，时间不低于3小时。9.根据权利要求8所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于：所述H型双管石英安瓿抽真空的过程中的预热温度为90℃。10.根据权利要求4所述的Ge基硫系玻璃的制备方法，其特征在于：步骤S2中的所述淬火为风冷淬火。2CN113735440A说明书1/7页Ge基硫系玻璃及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及特种玻璃技术领域，尤其涉及一种Ge基硫系玻璃及其制备方法，属于红外光学材料领域。背景技术[0002]硫系玻璃作为一类性能优良的红外光学材料。具有红外透过性能良好、组分可调、热化学稳定等诸多优点，在红外光学领域具有广阔的应用前景。其中折射率是最基本的光学材料性能参数之一，也是重要的光学设计参数之一，对简化光学系统、提高成像质量有着十分