晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113782636A(43)申请公布日2021.12.10(21)申请号202110896871.6H01L31/0216(2014.01)(22)申请日2021.08.05(71)申请人天津爱旭太阳能科技有限公司地址300400天津市北辰区天津北辰经济技术开发区科技园高新大道73号申请人浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司珠海富山爱旭太阳能科技有限公司(72)发明人李吉杨联赞时宝林纲正陈刚(74)专利代理机构深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333代理人贾振勇(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池(57)摘要本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。晶体硅太阳能电池的退火方法包括：将待氧化的硅片放入退火炉；利用氮气和氧气对退火炉中的硅片进行热氧化处理，以在硅片形成氧化硅层，氧气的占比范围为75％‑90％，氮气的占比范围为10％‑25％；对硅片进行降温退火处理。如此，可以更好地钝化硅片的表面，减少少数载流子的表面负荷，有利于提升光电转换效率。同时，这样可以生成更为致密的氧化硅层，改善电池片的PID。CN113782636ACN113782636A权利要求书1/1页1.一种晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，包括：将待氧化的硅片放入退火炉；利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理，以在所述硅片形成氧化硅层，所述氧气的占比范围为75％‑90％，所述氮气的占比范围为10％‑25％；对所述硅片进行降温退火处理。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，氧气的流量范围为3000sccm‑8000sccm。3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，氧气的流量范围为4000sccm‑7000sccm。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，所述退火炉内气体的总流量范围为10000sccm‑20000sccm。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，热氧化时长的范围为1400s‑2000s。6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述对所述硅片进行降温退火处理的步骤中，退火温度的范围为550℃‑650℃。7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述对所述硅片进行降温退火处理的步骤中，退火时长的范围为800s‑1000s。8.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，在所述将待氧化的硅片放入退火炉的步骤前，所述方法包括：向所述退火炉中通入氮气；将所述退火炉内的温度调节至预设温度。9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的退火方法，其特征在于，所述预设温度的范围为750‑800℃。10.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括硅片和形成于所述硅片的氧化硅层，所述氧化硅层采用权利要求1‑9任一项所述的方法制作得到。2CN113782636A说明书1/5页晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池技术领域[0001]本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。背景技术[0002]相关技术中，晶体硅太阳能电池的工序包括制绒、扩散、SE激光、刻蚀、退火、背镀膜、正镀膜、背面激光开槽、丝网印刷及测试分选，其中退火工序对太阳能电池的效率及可靠性具有很大影响。然而，退火工序中的氧气流量通常在500‑1500sccm范围内，电池片氧化效果不明显。基于此，如何改善晶体硅太阳能电池的退火工艺，成为了亟待解决的问题。发明内容[0003]本申请提供一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池，旨在解决如何改善晶体硅太阳能电池的退火工艺的问题。[0004]第一方面，本申请提供的晶体硅太阳能电池的退火方法，包括：[0005]将待氧化的硅片放入退火炉；[0006]利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理，以在所述硅片形成氧化硅层，所述氧气的占比范围为75％‑90％，所述氮气的占比范围为10％‑25％；[0007]对所述硅片进行降温退火处理。[0008]可选地，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤