直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114369866A(43)申请公布日2022.04.19(21)申请号202111639258.2(22)申请日2021.12.29(71)申请人宁夏申和新材料科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市开发区光明西路25号(72)发明人丁亚国李玲玲梁万亮马国忠顾燕滨(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105代理人孙彦虎(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法(57)摘要本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。CN114369866ACN114369866A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以提高晶棒的拉速。2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述凹坑均匀分布在所述水冷屏的内侧壁上。3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述凹坑为圆形。4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述凹坑为椭圆形。5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套由石墨做成，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。7.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。8.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏为不锈钢材质。9.根据权利要求1所述的直拉单晶炉热屏装置，其特征在于，所述水冷屏表面涂覆有涂层。10.一种提高拉晶速率的方法，利用如权利要求1所述直拉单晶炉热屏装置实现，其特征在于，具体步骤如下：步骤一：将导流筒安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏设置在导流筒的上方，且所述水冷屏的一端与单晶炉的内壁连接；步骤二：将晶棒以1.8mm/min‑2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。2CN114369866A说明书1/3页直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法技术领域[0001]本发明涉及提高拉晶速率工艺技术领域，具体涉及一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法。背景技术[0002]直拉单晶炉中设置有热屏装置，用于单晶炉内制造均匀的热场，现有技术中的热屏表面外壁光滑，单晶硅拉制过程中热屏产生的热折射是定向的，不利于加热炉腔内散热降温，导致拉晶速率不高。发明内容[0003]有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种提高拉晶速率的直拉单晶炉热屏装置还有必要提出一种提高拉晶速率的方法。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种直拉单晶炉热屏装置，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，以提高晶棒的拉速。[0005]优选地，所述凹坑均匀分布在所述水冷屏的内侧壁上。[0006]优选地，所述凹坑为圆形。[0007]优选地，所述凹坑为椭圆形。[0008]优选地，所述水冷屏为上下开口的筒状，所述水冷屏的开口上大下小。[0009]优选地，所述水冷屏的下端设置圆环形护套，所述圆环形护套由石墨做成，所述圆环形护套与所述水冷屏的下端连接。[0010]优选地，所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。[0011]优选地，所述水冷屏为不锈钢材质。[0012]优选地，所述水冷屏表面涂覆有涂层。[0013]一种提高拉晶速率的方法，利用如上所述直拉单晶炉热屏装置实现，具体步骤如下：步骤一：将导流筒安装在单晶炉的内壁上，再将水冷屏设置在导流筒的上方，且所述水冷屏的一端与单晶炉的内壁连接；步骤二：将晶棒以1.8mm/min‑2.0mm/min的拉速从单晶炉内拉出。[0014]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射