一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113463182A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110767665.5(22)申请日2021.07.07(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号申请人西安奕斯伟材料科技有限公司(72)发明人孙介楠(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253代理人沈寒酉归莹(51)Int.Cl.C30B15/04(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图7页(54)发明名称一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒(57)摘要本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒，所述方法包括：将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节；在所述第一单晶硅棒节冷却后将所述第一单晶硅棒节移出拉晶炉，并沿所述第一单晶硅棒节的细颈处剪断以获得剩余的籽晶；下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，拉制带水平肩部的晶体；提升所述晶体至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处；通过下降所述晶体直至所述晶体完全浸入所述剩余的硅熔液中熔化后，拉制第二预设长度的第二单晶硅棒节。CN113463182ACN113463182A权利要求书1/3页1.一种单晶硅棒的拉制方法，其特征在于，所述方法包括：将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节；在所述第一单晶硅棒节冷却后将所述第一单晶硅棒节移出拉晶炉，并沿所述第一单晶硅棒节的细颈处剪断以获得剩余的籽晶；下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，拉制带水平肩部的晶体；提升所述晶体至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处；通过下降所述晶体直至所述晶体完全浸入所述剩余的硅熔液中熔化后，拉制第二预设长度的第二单晶硅棒节。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将设定质量的多晶硅熔料和第一预设质量的掺杂剂放置于石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制第一预设长度的第一单晶硅棒节，包括：在所述多晶硅熔料的质量M一定的情况下，获取所述掺杂剂的第一预设质量m1；将质量M的所述多晶硅熔料和第一预设质量m1的所述掺杂剂加入石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制所述第一单晶硅棒节S1，且在等径生长阶段监测所述第一单晶硅棒节S1的生长长度；当所述第一单晶硅棒节S1的生长长度达到所述第一预设长度L1时，对所述第一单晶硅棒节S1进行收尾工序操作。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅熔料的质量M一定的情况下，获取所述掺杂剂的第一预设质量m1，包括：通过式(1)计算获得所述掺杂剂的第一预设质量m1：其中，ρ'表示基准单晶硅棒S'的电阻率；m'表示所述基准单晶硅棒S'中所述掺杂剂的质量；ρ1表示所述第一单晶硅棒节S1的电阻率。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将质量M的所述多晶硅熔料和第一预设质量m1的所述掺杂剂加入石英坩埚中加热熔化形成硅熔液后，下降籽晶至所述硅熔液液面处并拉制所述第一单晶硅棒节S1，且在等径生长阶段监测所述第一单晶硅棒节S1的生长长度，包括：采用直拉法拉制所述第一单晶硅棒节S1时，在等径生长阶段通过监测籽晶缆上升的距离来确定所述第一单晶硅棒节S1的生长长度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，拉制带水平肩部的晶体，包括：下降所述剩余的籽晶至剩余的所述硅熔液液面处，进行引晶及缩颈工序操作；当所述剩余的籽晶的末端生长出一段细颈后，进行放肩操作，使得所述细颈的末端生长出水平肩部；当生长出所述水平肩部后，进行快速收尾工序操作，以在所述剩余的籽晶的末端生长2CN113463182A权利要求书2/3页出带水平肩部的晶体S”。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提升所述晶体至副炉室冷却后，将第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体的水平肩部处，包括：通过提升籽晶缆以使得所述晶体S”移动至副炉室且冷却后，将所述第二预设质量的所述掺杂剂放置在所述晶体S”的水平肩部处。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二预设质量m2的计算方法，包括：根据所述第一单晶硅棒节S1的尺寸参数，计算获得所述第一单晶硅棒节S1的质量其中，D1表示所述第一单晶硅棒节S1的直径，λ表示所述第一单晶硅棒节的密度；根据所述第一单晶硅棒节S1的质量M1，计算获得所述