一种晶棒拉制方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114657629A(43)申请公布日2022.06.24(21)申请号202210329332.9(22)申请日2022.03.31(71)申请人曲靖晶龙电子材料有限公司地址655000云南省曲靖市曲靖经济技术开发区光伏一号路以东、南海大道以南(72)发明人武绚丽杨超宋克冉(74)专利代理机构上海华诚知识产权代理有限公司31300专利代理师刘煜(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种晶棒拉制方法(57)摘要本发明提供一种晶棒拉制方法，包括如下步骤：化料步骤：在单晶炉内通入氩气，并开启干泵，对所述单晶炉内的原料进行熔炼，得到熔融液；降温步骤：降低所述熔融液的温度，得到降温后的熔融液；拉晶步骤：对降温后的所述熔融液中进行拉制，得到晶棒；其中，从所述化料步骤进入所述降温步骤时，伴随着温度的降低，还降低氩气的流量、降低炉压。本发明实施例的晶棒拉制方法在降温阶段通过降低氩气流量和降低炉压可以有效的减少熔融液中的杂质，使熔融液中的氧尽可能的析出，以在引晶前进一步降低熔融液中的氧含量，进一步提高了晶棒的成晶率。CN114657629ACN114657629A权利要求书1/1页1.一种晶棒拉制方法，其特征在于，包括如下步骤：化料步骤：在单晶炉内通入氩气，并开启干泵，对所述单晶炉内的原料进行熔炼，得到熔融液；降温步骤：降低所述熔融液的温度，得到降温后的熔融液；拉晶步骤：对降温后的所述熔融液中进行拉制，得到晶棒；其中，从所述化料步骤进入所述降温步骤时，伴随着温度的降低，还降低氩气的流量、降低炉压。2.根据权利要求1所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述化料步骤中，所述氩气的流量为60～80L/min，所述单晶炉的炉内压力为900～1000Pa。3.根据权利要求2所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述化料步骤中，熔炼温度为1500～1650℃，熔炼时间为5～10h。4.根据权利要求2所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述降温步骤中，所述氩气的流量为40～50L/min，所述单晶炉的炉内压力为300～600Pa。5.根据权利要求4所述的晶棒拉制方法，其特征在于，在从所述化料步骤进入所述降温步骤时，保持所述干泵的开度不变以提高氩气在单晶炉内的流速。6.根据权利要求2所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述降温步骤中，降温时间为12～16min，降温后的所述熔融液的温度为1400～1500℃。7.根据权利要求2所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述拉制步骤中，所述氩气的流量为60～80L/min，所述单晶炉的炉内压力为1400～1600Pa。8.根据权利要求7所述的晶棒拉制方法，其特征在于，在从所述降温步骤进入所述拉制步骤时，固定所述氩气的流量并降低所述干泵的开度以控制所述炉内压力。9.根据权利要求1所述的晶棒拉制方法，其特征在于，所述降温步骤中，除了从所述单晶炉的副室上方吹入氩气之外，还同时从所述单晶炉的主室下方以20L/min以下的流量吹入氩气。10.根据权利要求1所述的晶棒拉制方法，其特征在于，在所述化料步骤之前还包括：预处理步骤：对所述单晶炉进行清洁处理，并将经过预处理的原料置入所述单晶炉中并抽真空。2CN114657629A说明书1/4页一种晶棒拉制方法技术领域[0001]本发明涉及拉晶方法技术领域，具体涉及一种晶棒拉制方法。背景技术[0002]晶棒拉制过程中，炉内的洁净度和溶液的杂质浓度都影响着晶棒的成晶情况，杂质浓度高，例如氧含量过高容易形成一些微小的杂质区域，这些区域会影响成晶界面的稳定性。故晶棒拉制过程中“排杂”方法是重点。[0003]现用拉晶方法中，只是在化料阶段通过加大干泵的开度进行排杂，并没有其他措施进行排杂处理，单晶的成晶率没有实质上的改善。并且只是在产生氧含量的方面加以抑制，熔体中已有的氧，并没有有效去除的过程，导致晶棒氧含量控制较难，晶棒质量差。发明内容[0004]有鉴于此，本发明提供一种能够进一步有效降低熔体中氧含量的晶棒拉制方法。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：[0006]根据本发明实施例的晶棒拉制方法，包括如下步骤：[0007]化料步骤：在单晶炉内通入氩气，并开启干泵，对所述单晶炉内的原料进行熔炼，得到熔融液；[0008]降温步骤：降低所述熔融液的温度，得到降温后的熔融液；[0009]拉晶步骤：对降温后的所述熔融液中进行拉制，得到晶棒；[0010]其中，从所述化料步骤进入所述降温步骤时，伴随着温度的降低，还降低氩气的流量、降低炉压。[0011]进一步地，所述化料步骤中，所述氩气的流量为60～80L/min，所述单晶炉的炉内压力为900～1