一种提高单晶成活率的放肩方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114717648A(43)申请公布日2022.07.08(21)申请号202210403758.4(22)申请日2022.04.18(71)申请人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号(72)发明人闫龙周文辉王忠保(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105专利代理师邢芳丽(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B15/22(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称一种提高<100>单晶成活率的放肩方法(57)摘要本发明提供一种提高<100>单晶成活率的放肩的方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒，本发明通过预定拉速曲线进行晶棒拉制，使得放肩的肩型统一，且在放肩的过程中能够避免肩型中出现四条隆起脊带的概率，从而降低放肩的NG率。CN114717648ACN114717648A权利要求书1/1页1.一种提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒。2.如权利要求1所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述预定拉速曲线通过以下步骤得到，具体步骤如下：步骤一：根据目标英寸单晶的直径D及放肩肩型夹角α，得到放肩高度H；步骤二：根据目标英寸单晶的直径D及放肩的高度H进行放肩，调整放肩肩型，以使放肩肩型为等腰三角形，得到校正后的放肩高度H’；步骤三：根据目标英寸单晶的直径D及校正后的放肩高度H’进行放肩，得到预定拉速曲线。3.如权利要求2所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述步骤三还包括以下步骤：S1：根据目标英寸单晶的直径D及校正后的放肩高度H’进行放肩，得到预定拉速的上限曲线及预定拉速的下限曲线；S2：根据预定拉速的上限曲线及预定拉速的下限曲线，拟合得到预定拉速曲线。4.如权利要求2所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述步骤一中，放肩肩型夹角α≦72.32°。5.如权利要求2所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述步骤二中，在放肩前引晶时不进行掺杂。6.如权利要求2所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述步骤三中，在放肩前引晶时正常掺杂。7.如权利要求1所述的提高<100>单晶成活率的放肩方法，其特征在于，所述步骤二：所述放肩高度H通过以下式子得到：H=D/2tanα（α/2）。2CN114717648A说明书1/7页一种提高<100>单晶成活率的放肩方法技术领域[0001]本发明涉及单晶炉提拉法生长单晶技术领域，具体涉及一种提高＜100＞单晶成活率的放肩方法。背景技术[0002]单晶制造是将硅料熔化，然后运用提拉技术将多晶转换为无位错单晶的过程，但是在多晶转化为单晶的过程中因某些原因会产生位错，则晶体失去单晶性质转为多晶，此时长晶失败(称之为NG)。[0003]现有技术中，在制备＜100＞晶向的单晶时，一般在＜100＞晶向放肩方法中，肩部可见四条由facet形成的隆起脊带，导致＜100＞晶向的单晶放肩NG率高，尤其是重掺极低电阻率单晶的拉制表现尤为显著。发明内容[0004]有鉴于此，本发明提供一种提高＜100＞单晶成活率的放肩方法，以解决现有技术中＜100＞晶向放肩方法会产生四条由facet形成的隆起脊带，导致放肩NG率的技术问题。[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：[0006]一种提高＜100＞单晶成活率的放肩方法，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒。[0007]优选地，所述预定拉速曲线通过以下步骤得到，具体步骤如下：[0008]步骤一：根据目标英寸单晶的直径D及放肩肩型夹角α，得到放肩高度H；[0009]步骤二：根据目标英寸单晶的直径D及放肩的高度H进行放肩，调整放肩肩型，以使放肩肩型为等腰三角形，得到校正后的放肩高度H’；[0010]步骤三：根据目标英寸单晶的直径D及校正后的放肩高度H’进行放肩，得到预定拉速曲线。[0011]优选地，所述步骤三还包括以下步骤：[0012]S1：根据目标英寸单晶的直径D及校正后的放肩高度H’进行放肩，得到预定拉速的上限曲线及预定拉速的下限曲线；[0013]S2：根据预定拉速的上限曲线及预定拉速的下限曲线，拟合得到预定拉速曲线。[0014]优选地，所述步骤一中，放肩肩型夹角α≦72.32°。[0015]优选地，所述步骤二中，在放肩前引晶时不进行掺杂。[0016]优选地，所述步骤三中，在