双坩埚液相外延生长装置.pdf
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相关资料
双坩埚液相外延生长装置.pdf
本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置,涉及液相外延生长设备技术领域,包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件,所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连;所述坩埚组件包括两个坩埚,两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部;所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长,突破膜厚的技术瓶颈,提高薄膜的质量和制备效率,有利于进行批量化生产。
SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法.pdf
本发明涉及一种SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法,所述的SiC单晶生长装置,高温感应加热炉的炉体的顶部和底部对应地同轴设置有可相对反向转动的籽晶轴和旋转轴,旋转轴第一端与石墨坩埚底部固定;石墨坩埚内部设置第一非碳坩埚,籽晶轴的第一端固定第二非碳坩埚。第一非碳坩埚内自下而上分别容置SiC晶锭和作为助溶剂的Fe粉;第二非碳坩埚内容置SiC籽晶;高温感应加热炉升温,升温到800~1000℃时充氩气,而后使SiC在1500~1700℃的氩气氛围下生长;随着温度的升高,晶锭SiC溶解在熔融的Fe溶剂中形
一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法.pdf
本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法,涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域,包括:采用双坩埚液相外延炉进行制备,其中,第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换,第二炉体用于备用熔体保温和原料更换;将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内,加热并搅拌成均匀熔体;在第二炉体放置坩埚B,将原料加入坩埚B内,加热并搅拌成均匀熔体后备用;待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后,将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长,并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长,重复上述内容,维持液相外延生长至所需薄膜厚度后,取出衬底,并降温至
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法.pdf
本发明公开了一种水平液相外延石墨舟,包括至少一个刮除装置,拉动滑条至第一预设位置时,刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液;以及至少一个吸收装置,拉动滑条至第二预设位置时,吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液;并且拉动滑条时,滑条先滑动至衬底槽与母液滞留槽对中的位置,再滑动至第一预设位置,最后滑动至第二预设位置。碲镉汞母液在衬底上生长出碲镉汞薄膜;拉动滑条至第一预设位置,刮除装置将滞留在滑条上的碲镉汞母液刮除;再拉动滑条至第二预设位置,吸收装置将碲镉汞母液吸收;在刮除装置和吸收装置的双重作用下,减少残留的碲镉汞母液
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法.pdf
本发明公开了一种水平液相外延石墨舟。该水平液相外延石墨舟包括至少两个具有母液滞留槽的槽体组,相邻的槽体组之间相互连通;具有至少两个衬底槽的滑条;设置于滑条下方的底托;设置于槽体组上方的盖板,滑条能够在底托与母液槽之间滑动,并且滑条拉动至预设位置时,每个衬底槽均能够与一个母液滞留槽对中。由于该水平液相外延石墨舟具有至少两个槽体组,滑条具有至少两个衬底槽,因此每次至少能够生长两片碲镉汞薄膜,并且相邻的槽体组之间连通,相邻的槽体组之间的汞蒸气能够流通,每片碲镉汞薄膜处于相同的工艺条件,实现了碲镉汞薄膜的批量化生