提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114892274A(43)申请公布日2022.08.12(21)申请号202210525822.6C30B33/02(2006.01)(22)申请日2022.05.13(71)申请人昆明云锗高新技术有限公司地址650000云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块申请人云南临沧鑫圆锗业股份有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司(72)发明人黄四江刘得伟王美春沙智勇尹归杨海平殷云川(74)专利代理机构昆明祥和知识产权代理有限公司53114专利代理师和琳(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)C30B23/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法(57)摘要提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。利用本申请的方法可以使碳化硅晶体厚度由目前15‑25mm的水平提高到30mm以上，解决了目前PVT法碳化硅晶体生长工艺中原料利用率低，生产效率低，剩料多回收困难的问题。CN114892274ACN114892274A权利要求书1/1页1.提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，其特征在于该方法包括以下工艺步骤：S1,高压升温:把装好碳化硅原料和籽晶的石墨坩埚装入碳化硅长晶炉，抽真空后，充入氩气使炉内压力达到500‑800mbar，然后开始升温让炉内温度达到2200‑2400℃；S2,降压变压生长:维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动；S3,升压结束生长和退火：长晶结束后，向炉内充入氩气使炉内压力达到500‑800mbarmbar，然后维持500‑800mbar的压力让炉内温度由2200‑2400℃经30‑60小时退火降到室温。2.如权利要求1所述的提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，其特征在于降压变压生长步骤是：维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到12mbar的低压，再经80h把12mabr的炉内压力线性降低到8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。2CN114892274A说明书1/4页提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法技术领域[0001]本发明属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。背景技术[0002]碳化硅是第三代宽带隙半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等优点。碳化硅器件在航空、航天探测、核能开发、石油、地热钻井勘探、汽车发动机等的领域有着重要的应用。碳化硅单晶生长的工艺主要是物理气相传输法(PVT)，该方法大致可分为高压升温，降压恒压生长，升压结束生长和退火三个阶段。高压升温长晶温度为2200‑2400℃，降压到10‑20mbar的低压进行恒压生长，最后升压停止生长并进行退火。低压恒压生长阶段，随着底部碳化硅粉的升华，剩余的原料变少，碳化硅粉升华的气压变小不足以克服炉内10‑20mbar的压力向上升华生长在籽晶上，因此限制了晶锭平均厚度只能达到15‑25mm，导致原料利用率低，产能受限，以及废料回收难度大等问题。此外，生长过程中由于原料减少，升华减弱，生长速率变慢，使得生长时间长达100‑200h，也会导致生产效率低，能耗增加。发明内容[0003]本发明提出一种提高PVT法碳化硅晶体生长的晶体厚度，并且提高原料利用率的方法。[0004]提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，包括以下工艺步骤：[0005]S1,高压升温:把装好碳化硅原料和籽晶的石墨坩埚装入碳化硅长晶炉，抽真空后，充入氩气使炉内压力达到500‑800mbar，然后开始升温让炉内温度达到2200‑2400℃；[0006]S2,降压变压生长:维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动；[0007]S3,升压结束生长和退火：长晶结束后，向炉内充入氩气使炉内压