一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114959907A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210322732.7(22)申请日2022.03.29(71)申请人苏州南智芯材科技有限公司地址215536江苏省苏州市常熟市碧溪街道四海路11号(72)发明人吴剑波倪荣萍张虞李胜雨吴冰(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363专利代理师逯长明许伟群(51)Int.Cl.C30B33/00(2006.01)C30B33/02(2006.01)C30B29/30(2006.01)权利要求书2页说明书4页(54)发明名称一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法(57)摘要本申请公开了一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，通过将还原性单质材料、碳酸锂粉、植物纤维或植物淀粉与水进行机械球磨混合，得复合还原剂，将复合还原剂以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片正反两面，烘干处理后，将晶片交替层叠放置于容器中，将容器转入热处理炉中，对热处理炉进行抽真空处理，调节热处理炉内温度，在氮气氛围下，调节热处炉内压强，对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理，通过前述技术方案，可控制备出还原程度不同的黄黑片/灰片，有效避免晶片破裂，并提高晶片的还原均匀性，同时避免晶片黑化处理过程中产生副产物，提高晶片质量、生产效率及导电性能。CN114959907ACN114959907A权利要求书1/2页1.一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，具体步骤包括：(1)将还原性单质材料、碳酸锂粉、植物纤维或植物淀粉与水进行机械球磨混合，得复合还原剂；(2)将复合还原剂以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片正反两面，烘干处理后，将晶片交替层叠放置于容器中；(3)将容器置入热处理炉中，对热处理炉进行抽真空处理，调节热处理炉内温度，在氮气氛围下，调节热处炉内压强，对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理。2.根据权利要求1所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述还原性单质材料包括碳粉、硅粉、镁粉、铝粉、钙粉、钛粉、铁粉、锰粉、锌粉中的一种。3.根据权利要求1所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述植物纤维包括纤维素、半纤维素、木素中的一种。4.根据权利要求1或2所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，按重量份计，所述还原性单质材料为3‑30份、所述碳酸锂粉为50‑90份、所述植物纤维或植物淀粉为3‑10份，所述水为10‑20份。5.根据权利要求1所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述步骤(2)的具体步骤包括：将混合物以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂或钽酸锂晶片的第一面后，进行烘干处理，随后将混合物以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂或钽酸锂晶片的第二面，烘干处理后，将晶片交替层叠放置于刚玉或不锈钢容器中；或将混合物以喷涂或匀胶的方式涂覆于预处理的铌酸锂或钽酸锂晶片的正反两面，进行烘干处理后，将晶片交替层叠放置于刚玉或不锈钢容器中。6.根据权利要求5所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述步骤(2)中烘干处理温度为25‑60℃。7.根据权利要求1所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述步骤(2)中预处理的铌酸锂或钽酸锂晶片直径为10‑400mm，或长度、宽度为10‑400mm，厚度为0.25‑1mm。8.根据权利要求7所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述预处理的铌酸锂或钽酸锂晶片为经过清洗的双面研磨片。9.根据权利要求1、5或6所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，所述步骤(3)的具体步骤包括：将刚玉或不锈钢容器置入热处理炉中，将热处理炉抽真空至20‑100Pa，持续升温至300‑450℃，通入流量为0.5‑3L/min的氮气，调节热处炉内压强为0.005‑0.02MPa，对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理。10.根据权利要求1所述的增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法，其特征在于，在调节热处炉内压强之后，所述处理办法还包括：使热处理炉恒温2‑10h，随后降温至80℃断电，使热处理炉冷却至25℃，停止通入氮气，持续对铌酸锂或钽酸锂晶片进行黑化处理，直至打开热处理炉取出铌酸锂或钽酸锂晶片，2CN114959907A权利要求书2/2页完成黑化处理。3CN114959907A说明书1/4页一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化处理办法技术领域[0001]本申请涉及晶体材料技术领域，尤其涉及一种增加铌酸锂或钽酸锂晶片导电性能的黑化