一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114737257A(43)申请公布日2022.07.12(21)申请号202210363840.9(22)申请日2022.04.07(71)申请人苏州南智芯材科技有限公司地址215536江苏省苏州市常熟市碧溪街道四海路11号(72)发明人吴剑波吴冰张虞倪荣萍李胜雨(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363专利代理师逯长明许伟群(51)Int.Cl.C30B33/02(2006.01)C30B29/30(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法(57)摘要本申请公开了一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，通过将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，构成层叠结构，在特定的退火炉工艺条件下，对晶片进行还原黑化处理，通过调节纯棉纸张或纤维布厚度与晶片厚度比值，能够可控制备还原程度不同的铌酸锂或钽酸锂黄黑片/灰片，有效解决了晶片黑化速度过快，晶片还原程度难以控制以及晶片完全黑化等问题，同时有效降低晶片电阻率及光穿透率，提升晶片性能，提高晶片质量并降低生产成本，整个工艺制备过程环保、无污染，还原黑化处理工艺精简，能耗低生产效率低，具有优异的实际生产价值。CN114737257ACN114737257A权利要求书1/1页1.一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，形成层叠结构；(2)将层叠结构置入真空退火炉中，打开真空泵，调节真空压力，随后打开气阀，在惰性气体氛围下，调节退火炉温度及恒温处理时间，对层叠结构进行黑化处理。2.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中铌酸锂晶片或钽酸锂晶片厚度为0.2‑1mm。3.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中纯棉纸张或纤维布厚度为0.1‑5mm。4.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中铌酸锂晶片或钽酸锂晶片直径为50‑400mm。5.根据权利要求1或4所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中纯棉纸张或纤维布直径比所述铌酸锂晶片或钽酸锂晶片直径长0.2‑1mm。6.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中层叠结构还包括：由预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与涂有棉质纤维浆料的纯棉纸张或纤维布交替设置构成。7.根据权利要求1或6所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片为经过超声清洗的双面研磨片。8.根据权利要求1或6所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中层叠结构厚度为0.3mm‑24cm。9.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，所述步骤(2)的具体步骤包括：将层叠结构置入真空退火炉中，打开真空泵，调节真空压力为0.1‑1kPa，随后打开气阀，通入氮气、氦气或氩气，调节气体流量为0.1‑0.5L/min，调节退火炉温度为300‑400℃，恒温处理3‑5h，对层叠结构进行黑化处理。10.根据权利要求1所述的降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，其特征在于，在调节退火炉温度及恒温处理时间之后，所述办法还包括：使真空退火炉温度降至25℃，依次关闭气阀、真空泵，持续对铌酸锂晶片或钽酸锂晶片进行黑化处理，直至打开真空退火炉，取出铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，完成黑化处理。2CN114737257A说明书1/6页一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法技术领域[0001]本申请涉及晶体材料技术领域，具体涉及一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法。背景技术[0002]铌酸锂(LiNbO3，LN)钽酸锂(LiTaO3，LT)晶体机械性能优异，易于生长大尺寸单晶，易加工，并具有优良的电光、双折射、压电、热释电与光生伏特效应等物理特性，广泛应用于滤波器、倍频转换、全息存储等领域，目前，铌酸锂与钽酸锂晶体已成为制造高频/超高频SAW滤波器的主要原料。[0003]铌酸锂与钽酸锂晶体具有明显的热释电性，未经处理的LN、LT晶体电阻率较高，在SAW滤波器制作工序中，当温度变化时，LN、LT衬底表面易聚集大量电荷，难以快速释放导走，容易造成SAW器件梳状电极之间打火，降低器件品质，且LN、LT衬底具有较高曝光波段透过率，光透过衬底后在衬底背面产生较强反射，降