功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法.pdf
曾琪****是我
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功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法.pdf
本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下:步骤一、提供MOSFET器件:步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理,预处理时间为25min~35min;步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内,浸泡15min~25min;步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出,然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时,对MOSFET器件表面进行预处理,并在预处理后用酸溶液进行清洗,最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内
CMOS器件栅氧化层的制造方法.pdf
本发明公开了一种CMOS器件栅氧化层的制造方法,包括在硅衬底上制备浅沟道隔离区、衬垫氧化层和硬掩膜,通过刻蚀两个浅沟道隔离区之间的场区以露出有源区及有源区边缘的部分浅沟道隔离区;通过炉管工艺,在有源区表面生长一层氧化层,使得有源区的边缘圆化;通过湿法刻蚀,去除有源区表面的氧化层;通过炉管工艺,在有源区表面生长栅氧化层。本发明利用炉管工艺在有源区表面生成一层氧化层,随后利用湿法刻蚀将其去除,通过这两步工艺可以改善有源区的边缘尖角,改善栅氧化层的形貌,从而提高器件的性能。
环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法.pdf
本发明公开一种环形栅SiCMOSFET功率器件及制作方法,涉及半导体技术领域,包括漏极金属层、SiC衬底、漂移层、在漂移层上开设的两个环形阱区,两个源区分别设置于环形阱区内部;内阱区内部的为MOSFET功率器件的第一源区,外阱区内部的为MOSFET功率器件的第二源区;第一源区和第二源区上方设置有源极金属区;栅极设置于内阱区和外阱区上方的源极金属区之间;内阱区与第一源区形成第一PN结,外阱区与第二源区形成第二PN结。该器件形成的导电沟道为围绕栅极的结构,所以纵向电流分布为环形,避免了电流集中,降低了器件内
一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法.pdf
本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法,控制栅制备包括:控制栅与分离栅之间的介质层形成后,热生长牺牲氧并淀积氮化硅,其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开;淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面,使用MASK刻蚀氧化层及氮化硅后槽内保留一定垂直高度的氮化硅;淀积氧化层并采用CMP与湿刻结合的方式去除部分氧化层,至其界面与分离栅上界面保持一定距离后刻蚀剩余氮化硅;淀积多晶并回刻形成控制栅。本发明所述方法采用氮化硅层屏蔽氧化层刻蚀的方式,形成下部分较窄的控制栅,所述控制栅工艺上易实现,同时减小
沟槽栅MOSFET器件的制造方法.pdf
公开了一种沟槽栅MOSFET器件的制造方法,包括:在衬底上形成外延层,衬底包括第一区域和第二区域;在外延层中形成沟槽;在第一区域的沟槽底部和外延层表面中形成第一阱区和体区;在外延层的表面和沟槽中形成第一绝缘层,第一绝缘层围绕沟槽形成空腔;在空腔中形成多晶硅层,去除多晶硅层的一部分暴露空腔的上部;对第一绝缘层回蚀刻,暴露沟槽上部;在沟槽上部侧壁表面和第一绝缘层与多晶硅层的上表面形成栅氧化层;在凹槽中形成栅极导体;在体区中形成源区。本申请的沟槽栅MOSFET器件的制造方法中,在第一区域的沟槽底部形成第一阱区的