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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020487A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202210725780.0(22)申请日2022.06.23(71)申请人富芯微电子有限公司地址230000安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号(72)发明人邹有彪王全倪侠张荣徐玉豹(74)专利代理机构北京深川专利代理事务所(普通合伙)16058专利代理师李焕焕(51)Int.Cl.H01L29/51(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图7页(54)发明名称功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法(57)摘要本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下:步骤一、提供MOSFET器件:步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理,预处理时间为25min~35min;步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内,浸泡15min~25min;步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出,然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时,对MOSFET器件表面进行预处理,并在预处理后用酸溶液进行清洗,最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体,完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理,在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时,还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理,提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。CN115020487ACN115020487A权利要求书1/2页1.功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:制备步骤如下:步骤一、提供MOSFET器件:步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理,预处理时间为25min~35min;步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内,浸泡15min~25min;步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出,然后将其安装到放置装置上固定,最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理,其中加热炉的温度在260℃~330℃,烘烤时间为25min~30min,此外填充惰性气体的时间为10min~15min;步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出,并放置到氮气柜内静置;步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110~130℃时,将MOSFET器件外部从氮气柜内取出。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤,其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2。3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:步骤三中的酸性溶液为质量分数为18%的盐酸溶液或质量分数为16%的稀硝酸溶液中的一种。4.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗,二次清洗需要用纯净水,清洗过后需要在通风环境下放置15min~30min。5.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种,步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。6.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:步骤四中的安装装置包括装配组件(1),装配组件(1)顶端的一端滑动连接有夹持机构(2),装配组件(1)顶部的另一端固定有驱动机构(3),驱动机构(3)的输出端带动夹持机构(2)在装配组件(1)的顶部往复移动。7.根据权利要求6所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:所述装配组件(1)包括装配台(101),装配台(101)顶部的两端分别固定连接有抬高块(102),两个抬高块(102)顶部的两侧分别固定连接有开口槽体(103);所述夹持机构(2)包括放置块(201),放置块(201)内部的两端分别滑动连接有抵挡圆柱(203),抵挡圆柱(203)和所述开口槽体(103)的内部相适配,所述放置块(201)通过抵挡圆柱(203)在开口槽体(103)的内部滑动连接。8.根据权利要求7所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:所述放置块(201)顶部的一端滑动连接有夹持臂(204),所述放置块(201)顶部的另一端开设有贯穿孔,贯穿孔的内部固定连接有固定臂(206),所述放置块(201)顶部的两侧分别开设有连通长孔(202),两道连通长孔(202)均设置在所述夹持臂(204)和所述固定臂(206)之间。9.根据权利要求8所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法,其特征在于:所述放置块(201)底部的一端固定连接有驱动电机(207),驱动电机(207)的输出端固