一种快响应铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
戊午****jj
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一种快响应铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
本发明公开了一种快响应铌酸锂晶体,所述的铌酸锂晶体进行了铟铀双掺杂,In离子以In2O3的形式掺入,掺杂量为2~6mol%,铀离子以UO2的形式掺入,掺杂量为0.6~2mol%。本发明还提供了上述快响应铌酸锂晶体的制备方法,通过固相烧结法合成双掺铌酸锂多晶粉料,选择CLN籽晶,将籽晶固定在铂金坩埚底部,然后将掺杂的多晶料装入铂金坩埚中封好,将头尾两端密封后置于氧化铝保温管中;然后将保温管置于晶体生长炉内,加热使多晶料得到充分熔化,利用坩埚下降法生长晶体。本发明实现了快响应速度以及高质量铟铀双掺铌酸锂晶
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法,涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成;方法:将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后,煅烧得到多晶,然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长,拉脱后退火生成晶体,然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s~35s,固定衍射效率在5.9%~38%。可用于
镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法,本发明涉及掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的镱钬双掺铌酸锂晶体由五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬制成;方法:将五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料,然后将多晶粉料在单晶生长炉中,采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体,再经退火后得到镱钬双掺铌酸锂晶体;该晶体双掺铌酸锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光,在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领
铟铈铁三掺铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
本发明提供一种铟铈铁三掺铌酸锂晶体及制备方法,属非线性光学晶体领域。所述晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CeO2和In2O3制成;其制备方法的步骤是:1)将粉料按照配比称取、充分混合后进行烧结;2)用中频炉加热,采用提拉法按照引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序生长铟铈铁三掺铌酸锂晶体;3)通过二波耦合测试该晶体;4)通过直接透射光斑畸变法测试该晶体。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段,在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上,明显改善了铌酸锂晶
一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法.pdf
一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理,扩散温度为1000~1150℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小需要