直拉单晶硅的工艺方法及生产系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115323488A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202210981391.4(22)申请日2022.08.16(71)申请人三一集团有限公司地址410100湖南省长沙市经开区三一路三一工业城三一行政中心三楼(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002专利代理师项辰(51)Int.Cl.C30B27/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称直拉单晶硅的工艺方法及生产系统(57)摘要本发明涉及光伏技术领域，提供一种直拉单晶硅的工艺方法及生产系统，工艺方法包括将熔料阶段通入单晶炉的氩气流量设定为恒流范围；调节熔料阶段的真空泵的开度，使熔料阶段的单晶炉的炉压保持在恒压范围。可以有效抑制硅和二氧化硅反应生成氧化硅，从而可以有效减缓熔硅对石英坩埚的腐蚀速率，一方面有利于后期成晶，另一方面可以降低生成的单晶硅棒的氧含量。CN115323488ACN115323488A权利要求书1/2页1.一种直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，包括：将熔料阶段通入单晶炉的氩气流量设定为恒流范围；调节所述熔料阶段的真空泵的开度，使所述熔料阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围。2.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，还包括：将等径阶段的所述真空泵的开度调为满开；调节所述等径阶段通入所述单晶炉的氩气流量，使所述等径阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围。3.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，还包括：将调温阶段、放肩阶段、转肩阶段和收尾阶段的所述真空泵的开度调为满开；调节所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段通入所述单晶炉的氩气流量，使所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围。4.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，所述调节所述熔料阶段的真空泵的开度，使所述熔料阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围，包括：获取所述熔料阶段的所述单晶炉的炉压值；比较所述炉压值与所述恒压范围；获取比较结果，根据所述比较结果调节所述真空泵的开度，使所述单晶炉的炉压保持在所述恒压范围。5.根据权利要求2所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，所述调节所述等径阶段通入所述单晶炉的氩气流量，使所述等径阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围，包括：获取所述等径阶段的所述单晶炉的炉压值；比较所述炉压值与所述恒压范围；获取比较结果，根据所述比较结果调节通入所述单晶炉的氩气流量，使所述单晶炉的炉压保持在所述恒压范围。6.根据权利要求3所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，所述调节所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段通入所述单晶炉的氩气流量，使所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的所述单晶炉的炉压保持在恒压范围，包括：获取所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的所述单晶炉的炉压值；分别比较所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的炉压值与所述恒压范围；分别获取所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的比较结果，根据所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的比较结果分别调节通入所述单晶炉的氩气流量，使所述调温阶段、所述放肩阶段、所述转肩阶段和所述收尾阶段的单晶炉的炉压保持在所述恒压范围。7.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，还包括：在循环段重复加料后，将通入所述单晶炉的氩气流量设定为恒流范围；2CN115323488A权利要求书2/2页调节所述真空泵的开度，使所述单晶炉的炉压保持在恒压范围。8.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，所述氩气流量根据不同尺寸的热场确定。9.根据权利要求1所述的直拉单晶硅的工艺方法，其特征在于，所述恒压范围为10‑13torr。10.一种直拉单晶硅的生产系统，其特征在于，包括：氩气流量调节系统，通过所述氩气流量调节系统将熔料阶段的氩气流量设定为恒流范围；真空泵开度调节系统，通过所述真空泵开度调节系统调节所述熔料阶段的真空泵的开度，使所述熔料阶段的单晶炉的炉压保持在恒压范围。3CN115323488A说明书1/7页直拉单晶硅的工艺方法及生产系统技术领域[0001]本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种直拉单晶硅的工艺方法及生产系统。背景技术[0002]目前行业内普遍的做法如下，化料(即熔料)的时候将真空泵的开度设置为满开即100％，氩气流量恒定不变(80‑120slpm)；等径的时候恒定炉压10‑13torr，氩气流量50‑100slpm(存在变氩气