直拉单晶硅制备的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115058774A(43)申请公布日2022.09.16(21)申请号202210868533.6(22)申请日2022.07.21(71)申请人天合光能股份有限公司地址213000江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号申请人天合光能（青海）晶硅有限公司(72)发明人陈奕峰赵金强陈泓钧(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112专利代理师彭瑞欣郑旭丽(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B15/04(2006.01)C30B15/20(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称直拉单晶硅制备的方法(57)摘要本公开提供了一种直拉单晶硅制备的方法，该方法包括：切割母合金棒得到多个母合金片；母合金棒由掺杂硅材构成，掺杂硅材的掺杂浓度高于直拉单晶硅的目标掺杂浓度，沿母合金棒的厚度方向掺杂硅材的掺杂浓度分布不均匀；确定至少部分母合金片的掺杂浓度；其中，对每个待确定掺杂浓度的母合金片，在沿其厚度方向上的多个位置检测第一掺杂浓度，根据多个第一掺杂浓度计算该母合金片的掺杂浓度，母合金片的厚度方向为母合金棒的厚度方向；根据基础硅材的掺杂浓度、母合金片的掺杂浓度、目标掺杂浓度，将确定量的基础硅材与母合金片混合得到混合料；基础硅材的掺杂浓度小于目标掺杂浓度；使用混合料通过直拉法制备直拉单晶硅。CN115058774ACN115058774A权利要求书1/1页1.一种直拉单晶硅制备的方法，其包括：切割母合金棒得到多个母合金片；所述母合金棒由掺杂硅材构成，所述掺杂硅材的掺杂浓度高于所述直拉单晶硅的目标掺杂浓度，沿所述母合金棒的厚度方向所述掺杂硅材的掺杂浓度分布不均匀；确定至少部分所述母合金片的掺杂浓度；其中，对每个待确定掺杂浓度的所述母合金片，在沿其厚度方向上的多个位置检测第一掺杂浓度，根据多个所述第一掺杂浓度计算该母合金片的掺杂浓度，所述母合金片的厚度方向为所述母合金棒的厚度方向；根据基础硅材的掺杂浓度、所述母合金片的掺杂浓度、所述目标掺杂浓度，将确定量的所述基础硅材与母合金片混合得到混合料；所述基础硅材的掺杂浓度小于所述目标掺杂浓度；使用所述混合料通过直拉法制备直拉单晶硅。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂浓度通过电阻率和掺杂类型表征。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标掺杂浓度为所述直拉单晶硅的头部的目标掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述母合金片的厚度在3毫米至6毫米之间。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述母合金棒是通过直拉法制备的。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对每个待确定掺杂浓度的所述母合金片，在沿其厚度方向上的多个位置检测第一掺杂浓度包括：对每个待确定掺杂浓度的所述母合金片，在沿厚其度方向的两端面，分别在各至少一个位置检测第一掺杂浓度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述母合金棒的电阻率在0.02欧姆.厘米至0.09欧姆.厘米之间。8.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述母合金片的厚度在3毫米至6毫米之间；所述母合金棒的电阻率在0.02欧姆.厘米至0.09欧姆.厘米之间。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基础硅材包括掺杂硅材循环料；所述基础硅材的掺杂浓度至少根据所述掺杂硅材循环料的掺杂浓度、所述掺杂硅材循环料的质量计算得到。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述将确定量的所述基础硅材与母合金片混合得到混合料之前，还包括：检测所述掺杂硅材循环料的多个位置的第二掺杂浓度，根据多个所述第二掺杂浓度计算所述掺杂硅材循环料的掺杂浓度。2CN115058774A说明书1/7页直拉单晶硅制备的方法技术领域[0001]本公开涉及单晶硅制备技术领域，特别涉及直拉单晶硅制备的方法。背景技术[0002]直拉法(CZ，Czochralski)是制备单晶硅产品的重要方法。[0003]直拉单晶硅的电阻率是其重要性质之一，而电阻率与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度稍有变化即会对直拉单晶硅的电阻率产生重要影响。[0004]现有技术制备的直拉单晶硅中，难以保证掺杂浓度(尤其头部的掺杂浓度)的准确性，从而导致直拉单晶硅的电阻率(尤其头部的电阻率)不准确，废品率高。发明内容[0005]本公开提供一种直拉单晶硅制备的方法。[0006]第一方面，本公开实施例提供一种直拉单晶硅制备的方法，其包括：[0007]切割母合金棒得到多个母合金片；所述母合金棒由掺杂硅材构成，所述掺杂硅材的掺杂浓度高于所述直拉单晶硅的目标掺杂浓度，沿所述母合金棒的厚度方向所述掺杂硅材的掺杂浓度分布不均匀；[0008]确定至少部分所述母合金片的掺杂浓度；其中，对每个待确定掺杂浓度的所述母合金片，在沿其厚度方向