一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547666A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211268557.4(22)申请日2022.10.17(71)申请人宁波中益赛威材料科技有限公司地址315200浙江省宁波市镇海区蛟川街道东生路307号4号楼二层(72)发明人徐可心(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272专利代理师党蕾(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法(57)摘要本发明提供一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，包括：步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；步骤S2，加热真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；步骤S3，切断甲烷气体，并加热真空炉至一第二预设温度，以对非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。有益效果：本发明通过对制备好的非晶或纳米晶带材卷绕成磁芯后，再进行特殊工艺处理，得到与石墨烯材料复合的特殊磁芯，通过附载石墨烯提高了非晶或纳米晶带材的韧性，改善了容易脆裂的缺点，提升了生产良率，同时也提高了磁性带材的导热性。CN115547666ACN115547666A权利要求书1/1页1.一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；步骤S2，加热所述真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于所述非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；步骤S3，切断所述甲烷气体，并加热所述真空炉至一第二预设温度，以对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。2.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述至少一层石墨烯层采用化学气相沉积法生长形成。3.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，在生长所述至少一层石墨烯层的同时，同步采用等离子或激光辅助技术。4.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一预设温度为300℃～1100℃。5.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述石墨烯层的厚度为0.10nm～10nm。6.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第二预设温度为500℃～1200℃。7.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，具体包括：对所述非晶或纳米晶带材进行去应力热处理。2CN115547666A说明书1/3页一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法技术领域[0001]本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法。背景技术[0002]非晶纳米晶是一种金属合金，但是由于其特殊的工艺将其变成了非晶态，所以非晶又被叫做玻璃金属。而纳米晶是在非晶的基础上其尺寸大小为纳米级别，非晶纳米晶是非晶和纳米晶的混合体。[0003]现有制备方法中，在对非晶或纳米晶带材进行常规热处理后，这种热处理不能完全发挥非晶或纳米晶带材应有的电磁性能，而且会使得带材韧性、变差脆性变强，导致磁芯掉片很严重，影响磁芯性能。发明内容[0004]为了解决以上技术问题，本发明提供了一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法。[0005]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现：[0006]一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，包括：[0007]步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；[0008]步骤S2，加热所述真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于所述非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；[0009]步骤S3，切断所述甲烷气体，并加热所述真空炉至一第二预设温度，以对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。[0010]优选地，所述步骤S2中，所述至少一层石墨烯层采用化学气相沉积法生长形成。[0011]优选地，所述步骤S2中，在生长所述至少一层石墨烯层的同时，同步采用等离子或激光辅助技术。[0012]优选地，所述步骤S2中，所述第一预设温度为300℃～1100℃。[0013]优选地，所述步骤S2中，所述石墨烯层的厚度为0.10nm～10nm。[0014]优选地，所述步骤S2中，所述第二预设温度