一种DCB基板双层同时烧结的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115615197A(43)申请公布日2023.01.17(21)申请号202211389733.X(22)申请日2022.11.08(71)申请人上海富乐华半导体科技有限公司地址200444上海市宝山区山连路181号3幢(72)发明人祝林贺贤汉杜涛阳强俊戴洪兴(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280专利代理师陆叶(51)Int.Cl.F27B21/04(2006.01)F27D1/18(2006.01)F27D3/12(2006.01)F27D5/00(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种DCB基板双层同时烧结的方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板双层同时烧结的方法，包括如下步骤：步骤一，将一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在烧结治具的凹形摆放槽内；步骤二，烧结治具的上端摆放有盖板，将另一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在盖板上方；步骤三，进行烧结。本发明实现DCB基板铜箔和陶瓷板的烧结由单层变为上下双层同时烧结，提高了烧结炉烧结产能及生产效率，同时提高了烧结良率。CN115615197ACN115615197A权利要求书1/2页1.一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，将一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在烧结治具的凹形摆放槽内；步骤二，烧结治具的上端摆放有盖板，将另一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在盖板上方；步骤三，进行烧结。2.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：步骤一之前，将烧结治具摆放在输送带上。3.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述烧结治具的材质为碳化硅材料。4.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述盖板的原料包括质量百分比为96％的AL2O3陶瓷、质量百分比为1.5％‑2.3％的SiO2以及质量百分比为2.5％‑1.7％的镁和钙。5.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述盖板的宽度为150‑165mm，长度为190‑210mm，厚度为0.9‑1.1mm。6.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述烧结治具包括相对设置的支撑部，所述支撑部通过连接平台相连，且所述支撑部的底部低于所述连接平台的底部；两个所述支撑部的邻近侧且位于高于所述连接平台的区域包括上下设置的从上至下靠拢倾斜的斜面部以及外凸的阶梯部；所述斜面部用于摆放陶瓷板。7.根据权利要求6所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：两个支撑部左右设置；所述烧结治具的高度为17‑30mm，所述烧结治具前后方向上的长度为190‑210mm；所述烧结治具的左右方向上的宽度为150‑165mm；所述支撑部顶部左右方向上的宽度为1.9‑2.3mm；所述支撑部的底部左右方向上的宽度为23‑27mm；所述连接平台的厚度为4‑6mm；所述连接平台左右方向上的宽度为100‑110mm；所述连接平台的底部与所述支撑部的底部的间距为2‑4mm；所述斜面部的倾斜角度为30‑60°；所述连接平台的底面通过半径为14‑18mm与所述支撑部相连。8.根据权利要求1所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：烧结过程中，两层待烧结的产品依次途径高温区、恒温区以及降温区；高温区沿着输送方向依次为四个变功率区域，四个变功率区域分别依次为第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域；所述第一区域的顶部输出功率百分比设定为70‑80％，底部输出功率百分比设定为90‑100％；所述第二区域的顶部输出功率百分比设定为75‑85％，底部输出功率百分比设定为90‑2CN115615197A权利要求书2/2页100％；所述第三区域的顶部输出功率百分比设定为85‑95％，底部输出功率百分比设定为90‑100％；所述第四区域的顶部输出功率百分比设定为90‑100％，底部输出功率百分比设定为90‑100％。9.根据权利要求2所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述运输带的传输速度为75mm/min‑170mm/min。10.根据权利要求8所述的一种DCB基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述第一区域的长度为300‑400mm；第二区域的长度为300‑400mm；第三区域的长度为300‑400mm；第四区域的长度为300‑400mm。3CN115615197A说明书1/4页一种DCB基板双层同时烧结的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体是DCB基板的制造方法。背景技术[0002]覆铜陶瓷基板(DCB基板)的铜箔和陶瓷板是在烧结