一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115849934A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202310158038.0(22)申请日2023.02.23(71)申请人江苏富乐华半导体科技股份有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人陆玉龙蔡俊董明锋李炎马敬伟(51)Int.Cl.C04B37/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法(57)摘要本发明公开了一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，涉及覆铜陶瓷基板加工领域，旨在解决目前只能单层烧结效率低的问题，其技术方案要点是：在烧结炉备料台上先摆放下层碳化硅烧结治具，内部放置瓷片、铜片；然后在治具上再放置上层的碳化硅治具，碳化硅治具在其边缘上表面至少具有两个凸起，其边缘下表面对应凸起的地方具有凹槽；当两层碳化硅治具叠放时，下层的碳化硅治具的凸起卡在上层碳化硅治具的凹槽内；然后在顶部再盖上陶瓷盖板；每相邻的治具紧密贴合，使用特定的烧结曲线，产品、治具在炉膛中经历升温，保温，降温阶段；收料。本发明的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法能够双层同时烧结，烧结效率高，节约能源。CN115849934ACN115849934A权利要求书1/1页1.一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、铜片清洗；S2、铜片氧化；S3、瓷片超声清洗、烘干；S4、治具、产品放置：在烧结炉备料台上先摆放下层碳化硅烧结治具，内部放置瓷片、铜片；然后在治具上再放置上层的碳化硅治具，碳化硅治具在其边缘上表面至少具有两个凸起，其边缘下表面对应凸起的地方具有凹槽；当两层碳化硅治具叠放时，下层的碳化硅治具的凸起卡在上层碳化硅治具的凹槽内；然后在顶部再盖上陶瓷盖板；S5、运输：将产品连同治具成列依次放置在烧结炉的传输网带上，每相邻的治具紧密贴合，网带传输速度为100‑200mm/min；S6、烧结：使用特定的烧结曲线，产品、治具在炉膛中经历升温，保温，降温阶段，其中升温阶段温度从RT℃到10301060℃，保温阶段10301070℃，降温阶段从10601070℃到RT℃；其中烧~~~结炉升降温总功率为3‑5KW；在升温过程中，炉膛内的上部的升温功率80%‑100%，炉膛内的下部的升温功率70%‑90%，并且炉膛内的上部的升温功率始终大于炉膛内的下部的升温功率10%；在降温过程中，炉膛内的上部的降温功率70%‑90%，炉膛内的下部的降温功率80%‑100%，炉膛内的上部的降温功率始终低于炉膛内的下部的降温功率10%；S7、收料。2.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：在S1铜片清洗步骤中，铜片经过除油、微蚀、酸洗、超声波清洗烘干彻底洗净。3.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：在S2铜片氧化步骤中，铜片经过热氧化或者化学氧化处理。4.根据权利要求3所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述热氧化包括在氮气保护气氛中通500‑1500ppm氧气，600‑800℃，带速100‑200mm/min。5.根据权利要求3所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：所述化学氧化处理包括氧化剂0.05‑0.2mol/L，温度50‑75℃。6.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：在S3瓷片超声清洗步骤中，超声波频率40KHZ，时间5‑10min。7.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，其特征在于：在S6烧结步骤中，烧结过程在氮气保护气氛中通0‑50ppm氧气。2CN115849934A说明书1/3页一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法技术领域[0001]本发明涉及覆铜陶瓷基板加工领域，更具体地说，它涉及一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法。背景技术[0002]现有技术中，覆铜陶瓷基板烧结时，通常在网带上每排放置两只治具，每个治具放置一片铜，瓷片，进行烧结，这样导致烧结效率低，功耗高。发明内容[0003]针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，通过改变治具实现双层堆叠后再改变烧结工艺，从而烧结出符合要求的产品，同时提高产能，降低能耗。[0004]本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结的方法，包括以下步骤：S1、铜片清洗；S2、铜片氧化；S3、瓷片超声清洗、烘干；S4、治具、产品放置：在烧结炉备料台上先摆放下层碳化硅烧结治具，内部放置瓷片、铜片；然后在治具上再放置上层的碳化硅治具，碳化硅治具在其边缘上表面至少具有两个凸起，其边缘下表面对应凸起的地方具有凹槽；当两层碳化