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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115921463A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310111262.4B08B3/08(2006.01)(22)申请日2023.02.14(71)申请人英利能源发展有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室申请人英利能源发展(保定)有限公司(72)发明人潘明翠马红娜王红芳郎芳翟金叶孟庆超史金超张莉沫王子谦(74)专利代理机构河北国维致远知识产权代理有限公司13137专利代理师任青(51)Int.Cl.B08B9/08(2006.01)B08B7/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法(57)摘要本发明公开一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内,于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压,阶梯式升温至1100‑1200℃,保温3‑5h,惰性气氛下降温,得预处理石墨舟;将预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗,鼓泡水洗;然后,采用去离子水对石墨舟进行喷淋,风干,升温干燥,得清洁石墨舟。本发明提供的清洗方法,通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅,后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗,就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅,且整个清洗工艺简单,清洗效率高,不会产生混酸和含氮酸溶液,经济效益和环境效益显著,具有广阔的应用前景。CN115921463ACN115921463A权利要求书1/1页1.一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内,于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压,阶梯式升温至1100‑1200℃,保温3‑5h,惰性气氛下降温,得预处理石墨舟;S2,将所述预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗,酸洗结束后,将石墨舟进行鼓泡水洗,得酸洗石墨舟;S3,采用去离子水对所述酸洗石墨舟的整体进行喷淋,风干,升温干燥,得清洁石墨舟;其中,步骤S1中,所述阶梯式升温采用三阶梯升温的方式,第一目标温度为500‑600℃,第二目标温度为800‑900℃,第三目标温度为1100‑1200℃。2.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,采用程序升温的方式升温至各目标温度。3.如权利要求2所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S1中,所述阶梯式升温的具体步骤为:以5‑10℃/min的速率升温至500‑600℃,保温1‑2h;再以3‑5℃/min的速率升温至800‑900℃,保温1‑2h;最后以3‑5℃/min的速率升温至1100‑1200℃。4.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S1中,通入水蒸气的温度为140‑180℃。5.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S2中,所述氢氟酸溶液的质量浓度为5%‑15%。6.如权利要求5所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S2中,所述酸洗的温度为20‑40℃,时间为20‑150min。7.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S2中,所述鼓泡水洗的温度为20‑40℃,时间为20‑180min。8.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S3中,所述喷淋的压力为2‑4MPa,喷淋时间为0.5‑2h。9.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S3中,所述风干采用风淋槽进行干燥,风管压力为1‑2.5MPa,风淋时间为0.5‑1h。10.如权利要求1所述的PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法,其特征在于,步骤S3中,所述升温干燥的温度为100‑130℃,升温干燥的时间为8‑10h。2CN115921463A说明书1/5页一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。背景技术[0002]TOPcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层掺杂多晶硅作为钝化层,目前制备多晶硅钝化层的主流方式有LPCVD、PECVD和PVD法。其中,PECVD法作为当前最为成熟的镀膜方式被广泛应用于太阳能电池镀膜中。石墨舟装载硅片在PECVD设备中循环使用,在硅片上沉积多晶硅的同时,石墨舟表面也会被多晶硅覆盖。石墨舟除了具有装载硅片的作用,还需要具有优良的导电作用,当石墨舟表面沉积多晶硅厚度达到一定值时,将会影响石墨舟的导电性,更关键的是还会影响舟壁与硅片的接触,导