预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/6
2/6
3/6
4/6
5/6
6/6

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115979446A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310039106.1(22)申请日2023.01.13(71)申请人湖南博云新材料股份有限公司地址410006湖南省长沙市岳麓区高新技术产业开发区麓松路500号(72)发明人郭卫明刘彦勇陈元红卢杨芳(74)专利代理机构长沙市融智专利事务所(普通合伙)43114专利代理师钟丹(51)Int.Cl.G01K7/02(2021.01)G01K15/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法(57)摘要本发明公开了一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,取两支热电偶,其中热电偶A由CVD炉的上方测温孔插入炉内,使热电偶A在炉内的一端位于CVD炉有效工作区域的最顶端;热电偶B由CVD炉的下方测温孔插入炉内,使热电偶B在炉内的一端位于CVD炉有效工作区域的最底端;然后将CVD炉升温至校验温度,保温后开始测温,然后每隔8~12min同时将热电偶A向下、热电偶B向上各推进90~110mm,每次待温度稳定后用热工仪表校验仪测量并记录数据,直至热电偶A与热电偶B的间距≤100mm,结束测温,通过测温结果计算测温数据与校验温度的偏差,以判定炉温均匀性是否符合要求。本发明的测温过程简单,多点分时段测温结果准确。CN115979446ACN115979446A权利要求书1/1页1.一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:取两支热电偶,其中热电偶A由CVD炉的上方插入炉内,使热电偶A在炉内的一端位于CVD炉有效工作区域的最顶端;热电偶B由CVD炉的下方插入炉内,使热电偶B在炉内的一端位于CVD炉有效工作区域的最底端;然后将CVD炉升温至校验温度,保温后开始测温,然后每隔8~12min同时将热电偶A向下、热电偶B向上各推进90~110mm,每次待温度稳定后用热工仪表校验仪测量并记录数据,直至热电偶A与热电偶B的间距≤100mm结束测温,通过测温结果计算测温数据与校验温度的偏差,若偏差小于炉温均匀性要求,则CVD炉的炉温均匀性符合要求,若偏差大于炉温均匀性要求,则CVD炉的炉温均匀性不符合要求。2.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:所述热电偶A的长度≥2500mm,分度号为K分度,精度等级Ⅱ级,使用温度范围为0‑1200℃,允许偏差±0.75%。3.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:所述热电偶B的长度≥2500mm,分度号为K分度,精度等级Ⅱ级,使用温度范围为0‑1200℃,允许偏差±0.75%。4.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:CVD炉升温并先用主控仪表在校验温度进行系统精度测试,并进行温度补偿,然后再对CVD炉升温至校验温度。5.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:所述校验温度为990℃。6.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:炉温均匀性要求测温数据与校验温度的偏差≤20℃。7.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:将CVD炉升温至校验温度,至少保温1h后开始测温。8.根据权利要求1所述的一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法,其特征在于:当CVD炉的炉温均匀性不符合要求时,根据测温结果分析原因,对炉子进行维修之后再重新进行测温,直至CVD炉的炉温均匀性符合要求。2CN115979446A说明书1/3页一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法技术领域[0001]本发明属于化学气相沉积技术领域,具体涉及一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法。背景技术[0002]化学气相沉积炉(CVD炉)是用于在特定压力下将炭炭复合材料、金属卤化物、金属有机物、碳氢化合物等反应源加热气化后在目标材料表面反应生成固态沉积物的设备,广泛用于物质提纯、新晶体研制、各种单晶的沉积、多晶或玻璃态无机薄膜材料等工业生产。[0003]而化学沉积过程中,沉积设备反应区温度对气体的反应影响很大,因此需要保证反应区温度均匀分布。而出现以下情况需校验炉温均匀性,1新炉投产前或使用中的加热炉大修之后(加热部件结构改变。2控温热电偶重新定位或改变高度。3使用温度超过原批准的炉温均匀性检验范围及温差要求。4合格但超过校验周期的。5移动或搬迁。6使用过程中发现异常,且对炉温均匀性产生怀疑。然而现有技术还没有针对CVD炉结构特点的的测温方法,无法知道炉内温度情况。发明内容[0004]针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种CVD炉的炉温均匀性的校准方法。[0005]为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:[00