一种负性光刻胶显影液及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113848686A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202111134406.5(22)申请日2021.09.26(71)申请人深圳深骏微电子材料有限公司地址518000广东省深圳市宝安区西乡街道华丰总部经济大厦A座625室(72)发明人卢燕燕张丽燕(74)专利代理机构广东金泰智汇专利商标代理事务所(普通合伙)44721代理人江丽娇(51)Int.Cl.G03F7/32(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图4页(54)发明名称一种负性光刻胶显影液及其制备方法(57)摘要一种负性光刻胶显影液及其制备方法。所述负性光刻胶显影液包括：无机碱、有机碱、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、缓冲盐和水，其中所述表面活性剂为式I所示化合物。所述制备方法制备简单，有利于产业化生产。CN113848686ACN113848686A权利要求书1/2页1.一种负性光刻胶显影液，其包括：无机碱、有机碱、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、缓冲盐和水，其中所述表面活性剂为式I所示化合物：其中，n为10‑20的整数。2.根据权利要求1所述的负性光刻胶显影液，以负性光刻胶显影液的总重量计算，所述非离子表面活性剂的含量为0.5wt％‑20wt％；和/或所述无机碱的含量为1wt％‑5wt％；和/或所述有机碱的含量为0.5wt％‑3wt％；和/或所述缓冲盐的含量为1wt％‑55wt％；和/或所述阳离子表面活性剂的含量为1wt％‑5wt％。3.根据权利要求1‑2任一项所述的负性光刻胶显影液，所述无机碱包括选自氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾和碳酸氢钾中的至少一种。4.根据权利要求1‑3任一项所述的负性光刻胶显影液，所述有机碱包括选自单甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、单乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵和单乙醇二甲基胺中的至少一种。5.根据权利要求1‑4任一项所述的负性光刻胶显影液，所述缓冲盐包括选自柠檬酸钠或磷酸二氢钾；和/或所述阳离子表面活性剂包括选自烷基三甲基铵盐、二烷基二甲基铵盐、酰胺型季铵盐和醚基季铵盐中的至少一种。6.根据权利要求1‑5任一项所述的负性光刻胶显影液，以负性光刻胶显影液的总重量计算，所述非离子表面活性剂的含量为10wt％；所述无机碱的含量为4wt％；所述有机碱的含量为2wt％；所述阳离子表面活性剂的含量为3wt％；所述缓冲盐的含量为5wt％；余量为水。7.根据权利要求1‑6任一项所述的方法，所述式I所示化合物的制备方法包括：取式II所示化合物和式III所示化合物溶于溶剂中，在脱水剂存在的情况下，进行反应，经后处理，得到式I所示化合物，其中，n为10‑20的整数。8.根据权利要求7所述的方法，所述溶剂包括选自甲醇、氯仿和四氢呋喃中的至少一种；所述脱水剂为二环己基碳二亚胺；所述反应的温度为30℃‑60℃；所述反应的时间为12‑2CN113848686A权利要求书2/2页24小时；所述后处理包括：旋转蒸发除去溶剂，柱层析纯化。9.一种权利要求1‑8任一项所述负性光刻胶显影液的制备方法，其包括：将无机碱、有机碱、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、缓冲盐溶于水中，依次采用0.45微米的滤膜和0.22微米的滤膜过滤，得到所述负性光刻胶显影液。10.一种权利要求1‑8任一项所述负性光刻胶显影液或权利要求9所述方法制备得到的负性光刻胶显影液在负性光刻胶显影工序中的应用。3CN113848686A说明书1/15页一种负性光刻胶显影液及其制备方法技术领域[0001]本发明属于显影液技术领域，具体涉及一种负性光刻胶显影液及其制备方法。背景技术[0002]显影液是溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域的一种化学溶剂，对于负显影工艺，显影液通常是一种有机溶剂，如二甲苯；对于正显影工艺，显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的是氢氧化钾与水的混合物。[0003]随着显示技术日益进步，伴随着对分辨率及成像清晰度等要求的持续提高，特别是随着智能手机、平板电脑的普及，高分辨率高画质的显示要求快速增长，显示器件线宽要求越来越细，对电性能要求也越来越高。在工序阶段意味着更精细化的制作和像素单元线宽的减少。由于氢氧化钾含有大量的钾离子和钠离子，故该类显影液金属离子含量大且不易被清洗，进而残留在彩膜基板上形成杂质。残留金属离子杂质在更细线宽更密集线路的应用环境中，在较少的数量下就会形成导电短路，从而对TFT像素内的晶体管控制开关产生不利影响[0004]专利申请CN110647018A公开了一种负性光刻胶显影液，具体公开了该负性光刻胶显影液由有机碱、表面活性剂和水各原料比例混合而成，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，非