掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺.pdf

本发明公开的掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺，是将初始氧浓度为0.5×1018cm-3-5×1018cm-3，锗浓度为0.1×1019cm-3-10×1019cm-3，磷浓度为1×1019cm-3-10×1019cm-3的掺锗重掺磷直拉单晶硅片，在氩气氛下，于扩散热处理炉中进行退火；或者在氩气氛下，于快速热处理炉中先热处理再进行退火。本发明制备工艺可以有效实现掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构，并且这种内吸杂结构能够有效的吸杂过渡族金属杂质铜，保证洁净区的完整性，从而使掺锗重掺磷直拉单晶硅有望成

2023-06-14

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重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究.docx

重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究摘要本文研究了重掺磷直拉硅单晶中缺陷的形成与影响，使用了多种测试方法，包括原子力显微镜、电感耦合等离子体发射光谱、透射电子显微镜以及自行设计的测试装置等。结果表明，重掺磷直拉硅单晶中出现了大量的气泡、晶界等缺陷，这些缺陷会严重影响晶体的性能和稳定性。同时，本文还探讨了可能的减少缺陷的方法，并提出了未来的研究建议。关键词：重掺磷直拉硅单晶，缺陷，气泡，晶界，性能引言重掺磷直拉硅单晶作为半导体材料，具有广泛的应用前景，包括光电子学、通信、微电子等领域。然而，直拉硅单晶的制备过程中往

2024-10-16

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重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究的综述报告.docx

重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究的综述报告随着半导体工艺的不断进步和芯片尺寸的不断缩小，对高质量晶体材料的需求越来越迫切。其中，单晶硅是一种非常重要的材料，广泛应用于各种电子器件中。然而，由于单晶硅在制备过程中很难避免含有各种缺陷，这些缺陷常常会严重影响器件的性能和可靠性。因此，研究单晶硅中的缺陷成为了一个重要的研究课题。其中，重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究受到了广泛的关注。在单晶硅制备的过程中，掺杂是一种常用的工艺，可以改变单晶硅的电学性质。其中，磷是一种常用的掺杂元素，可以用来制备n型单晶硅材料。然而，当磷

2024-10-01

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一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法.pdf

本发明涉及一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法。本防爆装置包括空气净化器、气体流量阀、气体流量计、环形管道、数个的分支管道及连接管道，所述空气净化器、气体流量阀及气体流量计通过连接管道连接，连接管道的一端与环形管道相通连接，每个分支管道的一端与环形管道相通连接，另一端伸入到炉体内部。其防爆方法是在生产重掺磷单晶过程中，掺杂开始后，打开气体流量阀，通入定量的净化空气，直至拉晶收尾，埚底料凝固结晶超过1~5min后停止通入净化空气。采取本发明，有效地解决了直拉重掺磷单晶清炉时容易爆炸的问题，从而保证

2023-06-20

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重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为.docx

重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为摘要：本文研究了重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为。通过对不同锑掺杂浓度的样品进行退火处理后，利用扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和拉曼光谱仪等多种分析手段，对样品的氧沉淀行为进行了研究。结果表明，在重掺锑直拉硅单晶中，氧原子主要在锑原子周围沉淀，形成一定的锑氧复合物，并且锑掺杂浓度对氧沉淀的影响很大，锑掺杂浓度越高，氧沉淀的越明显。此外，在样品中发现了一些异常的氧沉淀现象，这些现象的出现可能与锑原子排列方式和晶体缺陷有关。关键词：重掺锑直拉硅单晶；氧沉淀；锑氧复合物；扫描电子显微镜

2024-11-25

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