硫族化物恒流器件及其制造方法与动作.pdf

本发明名称为硫族化物恒流器件及其制造方法与动作，其涉及提供二端恒流器件的方法和装置及其动作。本发明提出一种在至少约700mV的施加电压范围内维持恒定电流的恒流器件。本发明还提出改变和重设恒流器件的恒定电流值的方法，或者通过施加正电位减小恒定电流值，或者通过施加比现行恒定电流的电压范围上限更负的电压，从而重设或增加其恒定电流电平至其初始制造值。本发明还提出将存储器件形成或转变为恒流器件的方法。本发明还提出将恒流器件作为模拟存储器件使用的方法。

2023-06-14

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具有光电性能的硫族化物玻璃-陶瓷及其制造方法.pdf

硫族化物玻璃-陶瓷，其具有例如如下组成：GeSe

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Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导体层和钝化层，还包括源极和漏极以及在源极和漏极之间的栅极。其中，上述氮化物半导体层包括氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；上述钝化层在栅极区域被刻蚀至暴露出氮化物势垒层，在栅极处形成凹槽。本发明氮化物势垒层和栅极金属层之间采用复合介质层，包括从衬底方向依次形成的氮化物介质层、氮氧化物介质层和氧化物介质层的组合结构。复合介质层结构不会引起界面态密度的增加，与传统单层氧化物介质层的Ⅲ族氮化物

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Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的宽禁带深能级调制层；位于所述宽禁带深能级调制层上的氮化物沟道层；以及位于所述氮化物沟道层上形成的电极，所述宽禁带深能级调制层由含有深能级缺陷的Ⅲ族氮化物半导体层形成，所述深能级缺陷的浓度为一个常数或者由氮化物缓冲层向氮化物沟道层逐渐减小；所述宽禁带深能级调制层的禁带宽度大于所述氮化物沟道层的禁带宽度。本发明通过在氮化物沟道层和氮化物缓

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第13族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底(10)、在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述半导体层包括第13族元素氮化物，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属。本发明还公开了一种制造这种半导体器件的方法。

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