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Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
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本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导体层和钝化层，还包括源极和漏极以及在源极和漏极之间的栅极。其中，上述氮化物半导体层包括氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；上述钝化层在栅极区域被刻蚀至暴露出氮化物势垒层，在栅极处形成凹槽。本发明氮化物势垒层和栅极金属层之间采用复合介质层，包括从衬底方向依次形成的氮化物介质层、氮氧化物介质层和氧化物介质层的组合结构。复合介质层结构不会引起界面态密度的增加，与传统单层氧化物介质层的Ⅲ族氮化物
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