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第13族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
2023-06-14
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绮兰****文章
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相关资料
氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括氮化物鳍结构(finstructure)、氮化物半导体层、掺杂III‑V半导体层以及栅电极。氮化物鳍结构包括多个沿着第一方向配置的鳍片，且鳍片各自沿着第二方向延伸，其中第一方向与第二方向相异，氮化物鳍结构包括第一氮化物化合物。氮化物半导体层覆盖鳍片，并包括第二氮化物化合物，其中第二氮化物化合物的带隙大于第一氮化物化合物的带隙。掺杂III‑V半导体层，设置在氮化物鳍结构上，并至少具有第一部分以及第二部分，且鳍片位在第一部分与第二部分之间。栅电极设置在氮化物鳍结构上。
2023-06-02
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第13族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底(10)、在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述半导体层包括第13族元素氮化物，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属。本发明还公开了一种制造这种半导体器件的方法。
2023-06-14
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第III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
提供一种第III族氮化物半导体器件，其在第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧与电极之间具有良好的欧姆接触，并能够在较低电压下工作。所述第III族氮化物半导体器件(100)特征在于：在所述第III族氮化物半导体层110的(000-1)面侧的规定区域120内具有多个圆顶状圆形凸部124；和在所述规定区域120的上表面上具有电极128。
2023-06-14
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Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导体层和钝化层，还包括源极和漏极以及在源极和漏极之间的栅极。其中，上述氮化物半导体层包括氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；上述钝化层在栅极区域被刻蚀至暴露出氮化物势垒层，在栅极处形成凹槽。本发明氮化物势垒层和栅极金属层之间采用复合介质层，包括从衬底方向依次形成的氮化物介质层、氮氧化物介质层和氧化物介质层的组合结构。复合介质层结构不会引起界面态密度的增加，与传统单层氧化物介质层的Ⅲ族氮化物
2023-06-14
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Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的宽禁带深能级调制层；位于所述宽禁带深能级调制层上的氮化物沟道层；以及位于所述氮化物沟道层上形成的电极，所述宽禁带深能级调制层由含有深能级缺陷的Ⅲ族氮化物半导体层形成，所述深能级缺陷的浓度为一个常数或者由氮化物缓冲层向氮化物沟道层逐渐减小；所述宽禁带深能级调制层的禁带宽度大于所述氮化物沟道层的禁带宽度。本发明通过在氮化物沟道层和氮化物缓
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