盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101898988A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101898988A(43)申请公布日2010.12.01(21)申请号201010189458.8G03F7/039(2006.01)(22)申请日2010.05.25G03F7/00(2006.01)(30)优先权数据2009-1293492009.05.28JP(71)申请人住友化学株式会社地址日本国东京都(72)发明人市川幸司吉田勋(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人柳春琦(51)Int.Cl.C07C381/12(2006.01)C07C309/17(2006.01)C07C303/32(2006.01)权利要求书3页说明书32页(54)发明名称盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物(57)摘要一种以式(a)表示的盐，其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子等，X1表示单键等，X2表示单键等，Y1表示C3-C36脂环族烃基等，条件是-X2-Y1基团具有一个或多个氟原子，并且Z+表示有机抗衡阳离子，以及一种光致抗蚀剂组合物，其含有以式(a)表示的盐和树脂，所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元，并且不溶或难溶于碱水溶液，但通过酸的作用变得可溶于碱水溶液。CN1089ACN101898988A权利要求书1/3页1.一种以式(a)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基，1X表示单键或-(CH2)k-，并且-(CH2)k-中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替，并且-(CH2)k-中的一个或多个氢原子可以被C1-C12脂族烃基取代，并且k表示1至18的整数，X2表示单键，C1-C12二价脂族烃基，C3-C12二价脂环族烃基，或通过结合二价脂族烃基与二价脂环族烃基形成的C4-C12二价基团，并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替，并且所述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子，羟基，C3-C36脂环族烃基或C2-C4酰基取代，1Y表示C3-C36脂环族烃基，并且所述脂环族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替，并且所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子，C1-C12脂族烃基，C3-C12脂环族烃基或C2-C4酰基取代，条件是-X2-Y1基团具有一个或多个氟原子，并且Z+表示有机抗衡阳离子。2.根据权利要求1所述的盐，其中k是0至5的整数。3.根据权利要求1所述的盐，其中Y1是可以具有一个或多个氟原子的金刚烷基，或可以具有一个或多个氟原子的环己基。4.根据权利要求1所述的盐，其中X1是包含-CO-O-的基团。5.根据权利要求1所述的盐，其中所述以式(a)表示的盐是以式(a-1-1)，(a-2-1)，(a-3-1)或(a-4-1)表示的盐：2CN101898988A权利要求书2/3页其中Z+，Q1和Q2具有与权利要求1中定义相同的含义。6.根据权利要求1所述的盐，其中Z+是以式(IXz)表示的阳离子：其中Pa，Pb和Pc各自独立地表示C1-C30烷基或C3-C30脂环族烃基，并且所述烷基中的一个或多个氢原子可以被羟基，C1-C12烷氧基或C3-C12环烃基取代，并且所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基，C1-C12烷基或C1-C12烷氧基取代。7.根据权利要求1所述的盐，其中Z+是以式(IXa)表示的阳离子：其中P1，P2和P3各自独立地表示氢原子，羟基，C1-C12烷基或C1-C12烷氧基。8.一种光致抗蚀剂组合物，其包含根据权利要求1所述的盐以及树脂，所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元，并且不溶或难溶于碱水溶液，但通过酸的作用变得可溶于3CN101898988A权利要求书3/3页碱水溶液。9.根据权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。10.一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(1)-(5)：(1)将根据权利要求8或9所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤，(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，(4)烘焙已曝光的光致抗蚀剂膜的步骤，和(5)用碱性显影剂使已烘焙的光致抗蚀剂膜显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。4CN101898988A说明书1/32页盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物技术领域[0001]本发明涉及一种适用于酸生成剂的盐和一种含有该盐的光致抗蚀剂组合物。背景技术[0002]用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。[0003]US2006/0194982A1公开了一种光致抗蚀剂组合物，该组合物包含作为酸生成剂的