Ⅲ族氮化物器件和电路.pdf
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Ⅲ族氮化物器件和电路.pdf
提供一种III族氮化物基高电子迁移率晶体管,其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用,以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。
III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法.pdf
一种III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法,该方法包括:在缓冲层上形成作为沟道层的第一III族氮化物材料层;在第一III族氮化物材料层的相对于缓冲层的相反侧上形成第二III族氮化物材料层,第一III族氮化物材料层和第二III族氮化物材料层之间的组分差异在第一III族氮化物材料层中感生出2DEG沟道;在缓冲层和沟道层之间形成分散阻挡层,其掺杂有Fe,Mg,Be,C或Zn;在沟道层和分散阻挡层的界面处的负电荷的薄片或分布将电子限制为远离缓冲层;在沟道层和分散阻挡层的界面处的带边不连续使得直接与界面相
III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件.pdf
本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤,并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下
Ⅲ族氮化物发光器件的新结构研究和特性表征.docx
Ⅲ族氮化物发光器件的新结构研究和特性表征Ⅲ族氮化物发光器件是当前照明和电子领域研究的热点之一。它们具有高可靠性、长寿命、高效率、高亮度等特点,已广泛应用于照明、显示、通讯、激光、生物医学等领域。近年来,为了进一步提高氮化物发光器件的性能,一些新的结构和技术被提出和研究。本文将主要介绍几种新结构,同时分析它们的特点和优缺点,以及适用的领域。1.垂直结构垂直结构是指发光层和电极垂直排列的结构。它可以减小串扰效应和光衰减,提高光提取效率和均匀度。同时,通过对发光层进行优化或引入量子阱结构,可以进一步提高发光效率
III族氮化物半导体发光器件.pdf
本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下呈现提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括蓝宝石衬底;以及,依次沉积在蓝宝石衬底上的均由III族氮化物半导体形成的n接触层、n覆层、发光层、p覆层和p接触层。n覆层包括依次在n接触层上的高杂质浓度层和低杂质浓度层这两个层,并且低杂质浓度层与发光层接触。低杂质浓度层是n型杂质浓度低于高杂质浓度层的层,低杂质浓度层的n型杂质浓度为p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100,并且具有至的厚度。